[发明专利]在硅片上制作氮化镓高电子迁移率晶体管的方法

摘要

本发明是在（100）晶面的硅片上制作氮化镓高电子迁移率晶体管的方法，包括：1）用MOCVD在（111）晶面的硅片上外延生长氮化镓高电子迁移率晶体管的外延层材料；2）进行氮化镓高电子迁移率晶体管的工艺制作；3）旋涂光刻胶保护器件结构，并将圆片临时键合到载片上；4）腐蚀；5）在露出来的氮化镓外延层上旋涂BCB；6）自然冷却并放入键合机中进行热压键合；7）去掉临时载片，并将圆片正面进行彻底清洗。本发明优点：可以实现在Si（100）面上的氮化镓高电子迁移率晶体管的制备，工艺简单、成品率高，摆脱了由于晶格失配难以直接在Si（100）面上外延生长氮化镓高电子迁移率晶体管外延层材料的困境。

主权项

在Si（100）晶面的硅片上制作氮化镓高电子迁移率晶体管的方法，其特征是包括以下步骤：1）用MOCVD在Si（111）晶面的硅片上外延生长氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）的外延层材料；2）在上述Si（111）衬底的外延圆片上进行氮化镓高电子迁移率晶体管的工艺制作；3）在氮化镓高电子迁移率晶体管圆片正面旋涂光刻胶保护器件结构，并将圆片临时键合到载片上；4）将键合后的圆片置于腐蚀溶液中进行腐蚀，腐蚀时间由硅衬底的厚度决定，直到将硅材料全部腐蚀干净，只剩下氮化镓外延材料和高电子迁移率晶体管结构；5）在露出来的氮化镓外延层上旋涂BCB，转速1000rpm‑5000rpm，时间为30秒，并在温度为100摄氏度的热板上烘烤2~5分钟；6）自然冷却后，将临时载片上的氮化镓高电子迁移率晶体管和Si（100）晶面的硅衬底正面相对，放入键合机中进行热压键合；7）键合完成后，去掉临时载片，并将圆片正面进行彻底清洗。