[发明专利]半导体装置的电熔丝结构有效
| 申请号： | 201410528528.6 | 申请日： | 2014-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN104576604B | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 崔贤民;前田茂伸 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 尹淑梅,韩芳 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体装置的电熔丝结构。所述电熔丝结构可以包括由第一金属材料形成的熔断体，连接阴极与阳极；覆盖电介质，覆盖熔断体的顶表面；虚设金属塞，贯穿覆盖电介质并与熔断体的一部分接触。虚设金属塞可以包括金属层以及设置在金属层和熔断体之间的阻挡金属层。阻挡金属层可以由与第一金属材料不同的第二金属材料形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 电熔丝 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的电熔丝结构，所述电熔丝结构包括：第一金属材料的熔断体，连接阴极与阳极；覆盖电介质，覆盖熔断体的顶表面；以及虚设金属塞，贯穿覆盖电介质并接触熔断体，虚设金属塞包括金属层与位于金属层和熔断体之间的阻挡金属层，其中，阻挡金属层包括与第一金属材料不同的第二金属材料。
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