[发明专利]一种基于硅基图形化衬底的复合缓冲层LED芯片在审
| 申请号： | 201410500728.0 | 申请日： | 2014-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN104241479A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 孙芳魁;李青峰;李助鹏 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150000 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种基于硅基图形化衬底的复合缓冲层LED芯片，属于硅基发光二极管芯片技术领域。针对现有硅基LED衬底层和外延层之间的热失配和晶格失配导致的出光效率及产品质量低的现状，本发明提供的芯片自下而上依次由硅衬底、复合协变缓冲层、图形化衬底层、n型GaN外延层、InGaN/GaN多量子阱、P型GaN层、透明导电膜及其电极组成。相对于现有硅基技术的LED芯片，本发明降低了衬底层和外延层之间的热失配，改善了晶格失配程度，有助于提高硅基LED芯片的出光效率和亮度，使芯片产品质量更加稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 图形 衬底 复合 缓冲 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种基于硅基图形化衬底的复合缓冲层LED芯片，其特征在于所述芯片自下而上依次由硅衬底、复合协变缓冲层、图形化衬底层、n型GaN外延层、InGaN/GaN多量子阱、P型GaN层、透明导电膜及其电极组成。
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