[发明专利]浅沟槽隔离的制造方法

摘要

本发明公开了一种浅沟槽隔离的制造方法，通过在浅沟槽填充氧化物与热退火之间，添加硅离子注入的步骤，使填充氧化物，如二氧化硅等，含有甚至充满硅原子，在热退火的过程中产生的氧原子可以与之结合，有效避免氧原子扩散氧化浅沟槽侧面的衬底硅，从而避免了由此导致浅沟槽尺寸缩小的问题；更甚者，向浅沟槽侧面的硅衬底同时注入硅离子，可以在硅衬底形成无定型硅，无定型硅在退火后重结晶，释放浅沟槽中的压力，从而提高器件性能。本发明可以大大增加有源区浅沟槽隔离填充工艺段的健壮性和工艺窗口，提升器件性能、可靠性和良率。

主权项

一种浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤S01，在硅片的硅衬底中形成浅沟槽；步骤S02，向该浅沟槽内填充氧化物；步骤S03，对该浅沟槽进行硅离子注入，以使得该浅沟槽内的填充氧化物区域含有硅原子；步骤S04，对该硅片进行热退火，包括第一步快速退火和第二步常规退火，该第一步快速退火中填充氧化物内的硅原子快速锁定退火所产生的氧原子并与之结合，该第二步常规退火中致密填充氧化物，以消除浅沟槽中缝隙缺陷。