[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置有效
申请号: | 201410458114.0 | 申请日: | 2014-09-10 |
公开(公告)号: | CN104992911B | 公开(公告)日: | 2018-01-26 |
发明(设计)人: | 根来世;永井泰彦;岩田敬次;大须贺勤;村元僚 | 申请(专利权)人: | 斯克林集团公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 金相允,向勇 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及基板处理方法以及基板处理装置。该基板处理方法包括处理液供给工序,向基板的主面供给处理液;基板旋转工序,一边在所述基板的主面上保持所述处理液的液膜,一边使所述基板旋转;加热器加热工序,与所述基板旋转工序并行地进行,通过与所述基板的主面相向配置的加热器,对所述处理液的所述液膜进行加热;热量调整工序,与所述加热器加热工序并行地进行,根据所述基板的转速,来调整在单位时间内从所述加热器供给至所述液膜的规定部分的热量。 | ||
搜索关键词: | 处理 方法 以及 装置 | ||
【主权项】:
一种基板处理方法,其特征在于,包括:处理液供给工序,向基板的主面供给处理液;基板旋转工序,一边在所述基板的主面上保持所述处理液的液膜,一边使所述基板旋转;加热器加热工序,与所述基板旋转工序并行地进行,通过与所述基板的主面相向配置且从与所述基板的主面垂直的方向观察比所述基板小的加热器,对所述处理液的所述液膜进行加热;热量调整工序,与所述加热器加热工序并行地进行,根据所述基板的转速,来调整在单位时间内从所述加热器供给至所述液膜中的与所述加热器相向的部分的热量,所述热量调整工序包括加热器功率调整工序,在该加热器功率调整工序中,根据所述基板的转速调整所述加热器的功率,所述基板旋转工序包括第一旋转工序和第二旋转工序,所述第一旋转工序使所述基板以第一转速旋转,所述第二旋转工序使所述基板以比所述第一转速小的第二转速旋转,所述加热器功率调整工序包括第一功率工序和第二功率工序,所述第一功率工序与所述第一旋转工序并行,并使所述加热器的功率为第一功率;所述第二功率工序与所述第二旋转工序并行,并使所述加热器的功率为比所述第一功率高的第二功率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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