[发明专利]互补式金属氧化物半导体相容晶圆键合层与工艺有效
| 申请号： | 201410405897.6 | 申请日： | 2014-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN104377163B | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | R·纳加拉贾;陈福勤;卢家辉;易俊豪;吴稼祺;田晶泽;P·R·耶勒汉卡;R·库马尔 | 申请（专利权）人： | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 新加坡，*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及互补式金属氧化物半导体相容晶圆键合层与工艺，揭露一种晶圆键合层及使用晶圆键合层键合晶圆的晶圆键合工艺。该晶圆键合工艺包含设置第一晶圆，设置第二晶圆，及设置晶圆键合层。该晶圆键合层是分开设置在第一和第二晶圆的接触表面层，而成为CMOS相容工艺配方的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 金属 氧化物 半导体 相容 晶圆键合层 工艺 | ||
【主权项】：
一种晶圆键合工艺，包含下列步骤：设置第一晶圆；设置第二晶圆；设置晶圆键合层，其中，该晶圆键合层是分开设置在该第一或第二晶圆的接触表面层，以做为CMOS相容工艺配方的一部分且并非为该第一晶圆或该第二晶圆的该接触表面层或金属化层的一部分；其中该晶圆键合层包含在图案化绝缘层上的键合层；以及在经由具有该第一晶圆或该第二晶圆的该接触表面层的该晶圆键合层的该键合层扩散后通过该第一晶圆和该第二晶圆的共晶键合形成一导电的通孔接面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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