[发明专利]通过单步骤沉积实现栅极包覆

摘要

本发明涉及通过单步骤沉积实现栅极包覆，当形成包覆晶体管的栅极电极结构的间隙壁结构时，常见的问题是由于在第一室中执行第一沉积制程以及在第二室中执行第二后续制程而造成所获得的间隙壁结构的厚度变动。本发明提供一种用于形成具有良好定义的厚度的间隙壁的方法。该方法依赖于通过原子层沉积执行的单个沉积步骤。以不同温度下执行的两个阶段来执行该沉积。

主权项

一种形成晶体管结构的方法，包括：在半导体层的主动区上形成栅极结构；以及执行原子层沉积以沉积绝缘层，该绝缘层适于形成为该栅极结构的侧壁上的间隙壁结构；其中，执行该原子层沉积包括：在第一温度下执行第一沉积阶段，以形成具有第一厚度的该绝缘层的第一部分；以及在该第一沉积阶段以后，在第二温度下执行第二沉积阶段，以形成具有大于该第一厚度的第二厚度的该绝缘层的第二部分，该第二温度高于该第一温度；其中，在同一沉积室内执行该原子层沉积的该第一及第二沉积阶段。