[发明专利]半导体装置及其制造方法、以及半导体装置的安装方法在审
| 申请号： | 201410334655.2 | 申请日： | 2014-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN104347529A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 一之濑一仁;村中诚志;大森和幸 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L21/304 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 温旭;郝传鑫 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了可靠性能够得以改善的半导体装置。所述半导体装置包括：经由第一绝缘膜在半导体衬底之上形成的第一配线；第二绝缘膜，包括覆盖所述第一配线的无机膜并具有已执行CMP处理的平坦表面；第三绝缘膜，形成在所述第二绝缘膜之上并且包括具有比所述第二绝缘膜的抗湿性高的抗湿性的无机膜；以及第二配线，形成在所述第三绝缘膜之上。所述第二配线的厚度比所述第一配线的厚度大10倍或10倍以上，并且所述第二配线位于所述第三绝缘膜之上，而在所述第二配线自身和所述第三绝缘膜之间没有有机绝缘膜插入。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 以及 安装 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：半导体衬底；第一绝缘膜，形成在所述半导体衬底之上；多个具有第一厚度的第一配线，形成在所述第一绝缘膜之上；第二绝缘膜，包括覆盖所述第一配线的无机绝缘膜并且具有已执行CMP处理的平坦表面；第三绝缘膜，包括形成在所述第二绝缘膜的平坦表面之上的无机绝缘膜；以及多个具有第二厚度的第二配线，形成在所述第三绝缘膜之上；其中，所述第三绝缘膜具有比所述第二绝缘膜的抗湿性高的抗湿性；以及其中，所述第二厚度比所述第一厚度大10倍或10倍以上；以及其中，所述第二配线位于所述第三绝缘膜之上，并且没有有机绝缘膜插入在所述第二配线自身和所述第三绝缘膜之间。
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