[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、以及显示装置有效
申请号: | 201410283614.5 | 申请日: | 2014-06-23 |
公开(公告)号: | CN104091782B | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
发明(设计)人: | 李旭远;成军 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L21/28;H01L27/02;H01L29/417;H01L23/50 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种阵列基板及其制作方法、以及显示装置,用以解决为了避免在对导电薄膜进行刻蚀处理时刻蚀液接触到有源层,需要在有源层和导电薄膜之间设置刻蚀阻挡层,从而增大了阵列基板的厚度的问题。本发明实施例提供一种阵列基板的制作方法,包括在表层为有源层的基板上沉积用于形成源极、漏极和数据线的导电薄膜;将导电薄膜的表面划分为源极对应的第一区域,漏极对应的第二区域,数据线对应的第三区域,以及除第一区域、第二区域和第三区域以外的第四区域;将第四区域的导电薄膜转化为不导电的薄膜;以及,将第一区域的导电薄膜作为源极,将第二区域的导电薄膜作为漏极,将第三区域的导电薄膜作为数据线。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 以及 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:在表层为有源层的基板上沉积用于形成源极、漏极和数据线的导电薄膜;将所述导电薄膜的表面划分为所述源极对应的第一区域,所述漏极对应的第二区域,所述数据线对应的第三区域,以及除所述第一区域、第二区域和第三区域以外的第四区域;将所述第四区域的导电薄膜转化为不导电的薄膜;以及,将所述第一区域的导电薄膜作为所述源极,将所述第二区域的导电薄膜作为所述漏极,将所述第三区域的导电薄膜作为所述数据线。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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