[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法和阵列基板的制作方法

摘要

本发明实施例公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法和阵列基板的制作方法，涉及显示技术领域，解决了源极或者漏极与有源层接触不良的技术问题。该制作方法包括在衬底基板上形成包括有源层的图形，有源层包括低温多晶硅；在形成了包括有源层的图形的衬底基板上，形成栅极绝缘层；在形成了栅极绝缘层的衬底基板上，形成包括栅极的图形；在形成了包括栅极的图形的衬底基板上，形成层间绝缘层，经过构图工艺使层间绝缘层和栅极绝缘层上形成对应于源极和漏极的接触孔；在接触孔底部形成低温多晶硅；形成包括源极和漏极的图形，源极和漏极通过接触孔以及接触孔底部的低温多晶硅连接有源层。

主权项

一种低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成包括有源层的图形，所述有源层包括低温多晶硅；在形成了包括所述有源层的图形的所述衬底基板上，形成栅极绝缘层；在形成了所述栅极绝缘层的所述衬底基板上，形成包括栅极的图形；在形成了包括所述栅极的图形的所述衬底基板上，形成层间绝缘层，经过构图工艺使所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层上形成对应于源极和漏极的接触孔；在所述接触孔底部形成低温多晶硅；形成包括所述源极和所述漏极的图形，所述源极和所述漏极通过所述接触孔以及所述接触孔底部的低温多晶硅连接所述有源层。