[发明专利]自对准双层图形半导体结构的制作方法在审
| 申请号： | 201410253257.8 | 申请日： | 2014-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN103996603A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 崇二敏;黄君 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种自对准双层图形半导体结构的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成第一氧化硅层、多晶硅层；在所述多晶硅层上形成第二氧化硅层，所述第二氧化硅层作为核心图形层；在所述第二氧化硅层上依次形成抗反射层和光刻胶层，所述光刻胶层定义了核心图形；以所述光刻胶层为掩膜对所述抗反射层和第二氧化硅层进行刻蚀，将所述核心图形的图案转移至所述第二氧化硅层上，所述多晶硅层上留下的第二氧化硅层具有垂直形貌，在所述留下的第二氧化硅层两侧形成具有垂直形貌的氮化硅层；以所述具有垂直形貌的氮化硅层为掩膜对多晶硅层和第一氧化硅层进行刻蚀，形成具有垂直形貌的自对准双层图形结构。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 双层 图形 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种自对准双层图形半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成第一氧化硅层、多晶硅层；在所述多晶硅层上形成第二氧化硅层，所述第二氧化硅层作为核心图形层；在第二氧化硅层上依次形成抗反射层和光刻胶层，所述光刻胶层定义了核心图形；以所述光刻胶层为掩膜对所述抗反射层和第二氧化硅层进行刻蚀，将所述核心图形的图案转移至所述第二氧化硅层上，所述多晶硅层上保留的第二氧化硅层具有垂直形貌；去除所述光刻胶层和抗反射层；在所述保留的第二氧化硅层上形成氮化硅层，所述氮化硅层覆盖所述第二氧化硅层以及所述多晶硅层的表面；进行刻蚀工艺，保留位于第二氧化硅层两侧的氮化硅层，将多晶硅层表面以及第二氧化硅层上方的氮化硅层去除；去除所述保留的第二氧化硅层；以所述位于第二氧化硅层两侧的氮化硅层为掩膜，对所述多晶硅层、第一氧化硅层进行刻蚀工艺，形成具有垂直形貌的自对准双层图形结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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