[发明专利]用于晶圆级封装件的模塑结构有效
| 申请号： | 201410251322.3 | 申请日： | 2014-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN104733330B | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 余振华;刘重希;黄致凡;黄晖闵;林威宏;郑明达 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种方法，包括将微电子器件附接至衬底表面，其中，间隔介于邻近的两个微电子器件之间。每个微电子器件均具有基本上平行于衬底表面的最外表面。将衬底封闭在传递模塑装置的传递模塑腔中，使得传递模塑腔的内表面与微电子器件的每个最外表面的大部分接触。随后，将模塑料注入至传递模塑腔内，包括将模塑料注入至多个微电子器件之间的间隔内。本发明还提供了用于晶圆级封装件的模塑结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 晶圆级 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，包括：将多个微电子器件的每个的最内表面附接至衬底表面，其中，间隔介于所述多个微电子器件的邻近的两个之间，其中，所述多个微电子器件中的每个均具有与所述衬底表面平行的最外表面，所述最外表面与所述最内表面相对，并且比相应的所述最内表面远离衬底；将所述衬底封闭在传递模塑装置的传递模塑腔中，从而使得涂覆所述传递模塑腔的内表面的脱模层与所述多个微电子器件的每个的所述最外表面的大部分物理接触；以及将模塑料注入至所述传递模塑腔内，包括将所述模塑料注入至所述多个微电子器件之间的所述间隔内，其中，在注入后，所述多个微电子器件的每个的最外表面不含所述模塑料，并且其中，所述脱模层防止所述模塑料与所述多个微电子器件的每个的所述最外表面物理接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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