[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201410199458.4 | 申请日： | 2014-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN105084299B | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 伏广才;李华乐 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 高静,骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括在半导体衬底上形成牺牲层后，在牺牲层上形成以非硅氧化合物为材料的硬掩模层，刻蚀所述硬掩模层形成硬掩模，并沿着所述硬掩模刻蚀所述牺牲层，在所述牺牲层内形成开孔。以非硅氧化合物为硬掩模层材料，可有效避免刻蚀硬掩模层时，采用含氟基的刻蚀气体与牺牲层以及硬掩模层反应形成含有氟(F)、碳(C)、氧(O)和硅(Si)的副产物，进而避免上述副产物残留在牺牲层的开孔内，继而影响后续在牺牲层的开孔内形成的金属插塞的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成硬掩模，所述硬掩模的材料为非硅氧化合物；以所述硬掩模为掩模刻蚀所述牺牲层，在所述牺牲层内形成第一开孔；刻蚀所述牺牲层的工艺为干法刻蚀工艺，所述干法刻蚀工艺采用非氟基气体作为刻蚀剂；所述非氟基气体为氩气和氧气的混合气体；在所述牺牲层上形成硬掩模的工艺包括：在所述牺牲层上形成硬掩模材料层；以干法刻蚀工艺刻蚀所述硬掩模材料层形成所述硬掩模，所述干法刻蚀工艺包括：采用非氟基气体作为刻蚀剂刻蚀所述硬掩模层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410199458.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种六氟化硫回收装置以及六氟化硫回收车
- 下一篇：一种半自动轧盖机
