[发明专利]一种形成浅沟槽隔离的方法

摘要

本发明提供一种形成浅沟槽隔离的方法，包括，提供一包括硅衬以及依次位于该硅衬底表面的衬垫氧化层、氮化硅层和底部抗反射层的半导体结构；于该底部抗反射层的表面形成具有沟槽图案的光阻；以该光阻为掩膜对底部抗反射层进行刻蚀后，进行线宽修正工艺；继续对氮化硅层进行刻蚀后，去除所述修正后的光阻和修正后剩余的底部抗反射层；继续以剩余的氮化硅层为掩膜并采用含有聚合物的刻蚀气体对衬垫氧化层进行刻蚀，并于剩余的氮化硅层的部分侧壁、剩余的衬垫氧化层的侧壁以及硅衬底的部分表面形成一聚合物保护层后，继续对硅衬底进行刻蚀形成浅沟槽隔离结构。该方法可以通过控制工艺参数的变化，实现对不同圆滑化程度的精确控制。

主权项

一种形成浅沟槽隔离的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1，提供一半导体结构，所述半导体结构包括一硅衬底和按照从下至上的顺序依次形成于该硅衬底表面的衬垫氧化层、氮化硅层和底部抗反射层；步骤S2，于所述底部抗反射层的表面涂布光刻胶后，经曝光、显影后，形成具有沟槽图案的光阻；步骤S3，以所述光阻为掩膜对所述底部抗反射层进行刻蚀后，对该光阻和剩余的底部抗反射层进行线宽修正工艺；步骤S4，以修正后的光阻和剩余的底部抗反射层为掩膜对所述氮化硅层进行刻蚀后，依次去除所述修正后的光阻和修正后剩余的底部抗反射层；步骤S5，继续以剩余的氮化硅层为掩膜并采用含有聚合物的刻蚀气体对所述衬垫氧化层进行刻蚀，并于所述剩余的氮化硅层的部分侧壁、剩余的衬垫氧化层的侧壁以及所述硅衬底的部分表面形成一聚合物保护层后，以所述聚合物保护层为掩膜对所述硅衬底进行刻蚀形成浅沟槽隔离结构。