[发明专利]蚀刻膏组成物及其应用无效

专利信息
申请号: 201410157734.0 申请日: 2014-04-18
公开(公告)号: CN104119921A 公开(公告)日: 2014-10-29
发明(设计)人: 刘骐铭;施俊安 申请(专利权)人: 奇美实业股份有限公司
主分类号: C09K13/08 分类号: C09K13/08;C09K13/00;H01L21/306
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 中国台湾台南市*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及蚀刻膏组成物及其应用。一种蚀刻膏组成物,包含:含氟化合物(A);溶剂(B),包括芳香醇类溶剂(B-1)、水(B-2)及其他溶剂(B-3);微粒(C),选自于聚合物微粒(C-1)、无机化合物微粒(C-2),或前述的组合;有机增稠剂(D);及酸(E),选自于有机酸(E-1)、无机酸(E-2),或前述的组合。本发明另提供一种蚀刻方法,是将前述的蚀刻膏组成物丝网印刷于触控面板的基板的氧化硅层或氮化硅层上,然后进行蚀刻步骤及清洗步骤。该蚀刻膏组成物经时稳定性良好,适用于丝网印刷的操作。
搜索关键词: 蚀刻 组成 及其 应用
【主权项】:
一种蚀刻膏组成物,其特征在于,其包含:含氟化合物(A);溶剂(B),包括芳香醇类溶剂(B‑1)、水(B‑2)及其他溶剂(B‑3);微粒(C),选自于聚合物微粒(C‑1)、无机化合物微粒(C‑2),或前述的组合;有机增稠剂(D);及酸(E),选自于有机酸(E‑1)、无机酸(E‑2),或前述的组合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奇美实业股份有限公司,未经奇美实业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410157734.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 一种硅片打磨液-201910123412.7
  • 李少平;万杨阳;贺兆波;张庭;尹印;冯凯;王书萍;张演哲;蔡步林 - 湖北兴福电子材料有限公司
  • 2019-02-18 - 2019-06-21 - C09K13/08
  • 本发明涉及一种硅片打磨液。所述硅片打磨液主要用于硅片减薄,使其去除一定的厚度仍然保持很好的表面质量。该打磨液由氢氟酸、硝酸、硫酸、铵盐及超纯水组成。打磨液的蚀刻温度控制为28~32℃,优选30℃。采用搅拌工艺,其搅拌速率控制到300~350 r/min,优选330 r/min,以降低局部反应产生的HNO2活性物质和反应热,防止局部反应线速度增加,导致腐蚀不均匀。硅片表面质量是一项重要的指标,其粗糙度大小及缺陷多少将影响打磨硅片后续的加工,利用该打磨液对硅片进行化学腐蚀能够去除前端因机械研磨而产生的表面损伤层和微裂纹区,从而获得粗糙度低、缺陷少的表面。
  • 电子液晶屏幕清洁用蚀刻液-201910173945.6
  • 信研成 - 基伊埃(天津)农牧科技有限公司
  • 2019-03-08 - 2019-06-18 - C09K13/08
  • 本发明公开一种电子液晶屏幕清洁用蚀刻液,属于液晶屏幕清洁技术领域,按重量百分比计,包括25‑30%双氧水,5‑10%氢氟酸,1‑5%磷酸,5‑10%表面活性剂,1‑3%净水剂,余量的高纯水;其制备方法,包括步骤:先准确称量各组份,在反应釜中加入高纯水,再加入表面活性剂、双氧水,进行50‑70min搅拌后,加入氢氟酸,再搅拌50‑70min后,加入磷酸搅拌120‑140min,最后加入净水剂,搅拌25‑35min,检测合格后即得电子液晶屏幕清洁用蚀刻液。有益效果是比同款产品清洁能力强,清洗时间短,清洁更有效,而且属于环保型产品。
  • 一种酸性氟化铵蚀刻液的制备装置-201821067976.0
  • 戈士勇 - 江阴润玛电子材料股份有限公司
  • 2018-07-06 - 2019-05-17 - C09K13/08
  • 本实用新型公开了一种酸性氟化铵蚀刻液的制备装置,包括依次连接的辛胺储罐、第一混合罐、第二混合罐、调节阀、过滤装置和成品罐,所述第一混合罐上还连接有添加剂储罐,所述第二混合罐上还连接有氟化铵储罐、氟氢酸储罐和去离子水储罐,所述过滤装置为下进上出,圆锥形过滤网的过滤罐体。本实用新型的过滤罐体中采用圆锥形过滤网,反向过滤,蚀刻液由下往上流动,从而可以使滤渣留存在下方,由于滤渣一般自重比滤液大,其会往下沉淀,从而可通过过滤罐体底端的排污口排出;滤后澄清液可以由下而上通过采出泵泵出过滤罐体,流向成品罐;滤渣不会过多堆积在滤网处,滤网承受的阻力小,拆洗方便,使用寿命长。
  • 一种低掺杂硅电极的蚀刻液-201811512695.6
  • 李少平;张庭;贺兆波;尹印;万杨阳;冯凯;王书萍 - 湖北兴福电子材料有限公司
  • 2018-12-11 - 2019-04-05 - C09K13/08
  • 本发明公开了一种低掺杂硅电极的蚀刻液,其主要成分包括占蚀刻液总重量45‑65%的硫酸、1‑10%的硝酸、1‑10%的氟化铵、1‑10%的氯化铵、5‑52%的超纯水。本发明通过使用低含量的硝酸,可以降低整体的蚀刻速率;使用氟化铵代替氢氟酸,保证蚀刻速率稳定;加入氯化铵作为铵根离子的补充剂,在蚀刻过程中能够产生密集的小气泡,有利于控制硅电极表面的粗糙度。本发明的蚀刻液组成可以彻底去除研磨带来的损伤,蚀刻速率稳定、蚀刻表面均匀,且表面粗糙度可控。
  • 氧化硅层蚀刻液-201510493448.6
  • 李明镐;郑泰秀;文载雄;金东铉;姜敎元 - 易安爱富科技有限公司
  • 2015-08-12 - 2019-02-19 - C09K13/08
  • 本发明涉及包含如下成分的氧化硅层蚀刻液:氟化合物、具有2个以上的磺酸基的磺酸化合物或其盐、以及水。本发明所述的蚀刻液在维持对氧化硅层的蚀刻速度的同时,降低作为像素电极下部绝缘膜的氮化硅层的蚀刻速度,以使氮化层的损失最小化,保护下部膜,并使更薄的氮化层结构变得可行,从而减少在制造半导体时出现的缺陷,使得能够形成更加精细化的半导体结构。
  • 一种硅晶圆的蚀刻液-201811435355.8
  • 李少平;张庭;贺兆波;尹印;冯凯;万杨阳;王书萍 - 湖北兴福电子材料有限公司
  • 2018-11-28 - 2019-02-12 - C09K13/08
  • 本发明公开了一种硅晶圆的蚀刻液,主要成分包括电子级硝酸、电子级氢氟酸、电子级硫酸、电子级磷酸、电子级醋酸、表面活性剂、超纯水。其中,硝酸作为氧化剂,将硅氧化成硅的氧化物;氢氟酸作为溶解剂,将硅的氧化物溶解、去除,实现对硅晶圆的蚀刻;硫酸可以提高溶液粘度,稳定反应速率,不改变蚀刻形貌,增加蚀刻均匀性;磷酸也可以提高溶液粘度,提高传质阻,降低蚀刻速率,不改变蚀刻形貌;醋酸作为稀释剂,降低硝酸的电离度,抑制硝酸的氧化能力,降低反应速率,影响蚀刻后的表面形貌;表面活性剂降低溶液的表面张力,改善硅晶圆蚀刻后的表面形貌。本蚀刻液的蚀刻速率稳定可控、蚀刻表面均匀平整。
  • 一种氟化铵的综合利用系统-201820886427.X
  • 杨红权;庞枫林 - 多氟多(昆明)科技开发有限公司
  • 2018-06-08 - 2019-02-05 - C09K13/08
  • 本实用新型属于无机化工领域,具体涉及一种氟化铵的综合利用系统。目的是提供一种氟化铵的综合利用系统。采用的技术方案是:包括氟化铵储罐、树胺料斗、反应釜、氨气储罐、电热反应釜、氟化氢储罐、混合罐、刻蚀工作台、废液收集槽;氟化铵储罐与反应釜相连,树胺料斗与反应釜相连,反应釜与氨气储罐相连,反应釜与电热反应釜相连,电热反应釜与氟化氢储罐相连,电热反应釜与树胺料斗相连;氟化氢储罐与混合罐相连,混合罐与刻蚀工作台相连,刻蚀工作台与废液收集槽相连,氨气储罐与废液收集槽相连。整个系统充分的利用了各个流程的产物,实现了氟化铵的综合利用,且简单可靠、对环境影响小、经济效益高,适合工业化生产。
  • 蚀刻液及利用该蚀刻液制得无指纹残留的手机后盖的方法-201810996085.1
  • 贡浩飞;潘华平 - 江苏金琥珀光学科技股份有限公司
  • 2018-08-29 - 2018-12-25 - C09K13/08
  • 本发明涉及一种蚀刻液及利用该蚀刻液制得无指纹残留的手机后盖的方法,所述的蚀刻液包含有重量比10‑15%的硫酸钡,2‑7%的羧甲基纤维素,1‑3%的瓜尔胶,15‑30%的氟化铵,10‑20%的氯化钠以及余量的溶剂。所述溶剂为盐酸,硫酸或者磷酸的一种或多种混合。先将手机后盖背面经过耐酸油墨覆盖并烘烤,玻璃经过清洗机清洗干净,然后迅速将权利要求1所述的蚀刻液均匀喷洒在手机后盖表面,反应时间约30秒,后经过清洗机清洗并脱墨后得到磨砂手机后盖。本发明既能够使玻璃手机后盖形成磨砂效果,而且不残留指纹,可广泛应用于磨砂手机后盖,笔记本电脑滑鼠板等场合。
  • 一种非金属氧化物膜用缓冲蚀刻液-201810156720.5
  • 高小云;刘兵 - 苏州晶瑞化学股份有限公司
  • 2018-02-24 - 2018-08-10 - C09K13/08
  • 本发明公开了一种非金属氧化物膜用缓冲蚀刻液,按质量分数计包括以下组分:氢氟酸0.1%‑10%,氟化铵1%‑40%,缓释剂0.005%‑0.5%,渗透剂0.005%‑0.5%,纯水余量。本发明的一种非金属氧化物膜用缓冲蚀刻液,对制程中氧化硅膜层具有高度选择性蚀刻,蚀刻速率可控,蚀刻后无台阶出现;蚀刻液对接触层ILD膜及GI膜层无蚀刻;通过引入缓冲剂,对多晶硅基材及玻璃基板蚀刻速率效率小于最大程度上避免多晶硅及玻璃基材的过蚀刻,同时引入渗透剂,使药液快速润湿微孔,完全蚀刻二氧化硅层。
  • 一种用于制备固定倾斜角度硅纳米线结构的方法-201710252784.0
  • 徐庆君;许亮 - 枣庄学院
  • 2017-04-11 - 2017-09-01 - C09K13/08
  • 本发明提供一种用于制备固定倾斜角度硅纳米线结构的方法,其特征在于,将待制备纳米线结构的P型[111]晶向硅片清洗后置于配方为氢氟酸2.3‑4.6mol/L、硝酸银0.015‑0.05mol/L的腐蚀液中腐蚀时间为15‑30分钟,腐蚀液温度为90‑100摄氏度,然后取出用去离子水清洗。此方法制备的纳米线倾斜方向与硅衬底法线方向夹角为55℃,表明纳米线沿着[100]晶向生长。
  • 一种用于制备硅纳米线结构的腐蚀液及其应用方法-201710252782.1
  • 徐庆君;许亮 - 枣庄学院
  • 2017-04-11 - 2017-08-29 - C09K13/08
  • 本发明提供一种湿法化学刻蚀法制备硅纳米线结构的腐蚀液及其使用方法,其特征在于,该腐蚀液的配方为以下组分及浓度含量氢氟酸2.3‑9.2mol/L;硝酸银0.005‑0.08mol/L。其应用方法为将待制备纳米线结构的P型[111]晶向硅片清洗后置于氢氟酸2.3‑4.6mol/L、硝酸银0.015‑0.05mol/L的腐蚀液中;腐蚀时间为15‑30分钟,腐蚀也温度为40‑55摄氏度,然后取出用去离子水清洗。制备的硅纳米线结构长度、均匀性较好;不同纳米线之间独立性较高,集束现象少;纳米线结构与硅衬底的垂直性好。
  • 一种VDMOS的 PN结用染色溶液及其使用方法-201310750599.6
  • 宋耀德 - 苏州同冠微电子有限公司
  • 2013-12-31 - 2015-07-01 - C09K13/08
  • 本发明涉及一种VDMOS的PN结用染色溶液,所述染色溶液的含有硝酸和BOE两种组分,质量比为:硝酸:BOE=1:12~18;所述BOE为NH4F:HF按1:6的质量比混合而成的溶液,NH4F的质量浓度是40%,HF的质量浓度为49%。本发明配方针对VDMOS的PN结设计出优质的染色溶液配方,染色时既快速又经济,染色是PN结结深清楚、界限清晰,且所有掺杂结构的结深可以在一张图片中获得。
  • 一种触摸屏用蚀刻液及其制备方法-201410517686.1
  • 李林波 - 江西省平波电子有限公司
  • 2014-09-30 - 2015-02-04 - C09K13/08
  • 本发明涉及蚀刻液技术领域,具体涉及一种触摸屏用蚀刻液及其制备方法,每升蚀刻液由以下原料组成:盐酸180-220mL、磷酸二氢钠5-20g、氢氟酸70-90mL、双氧水40-50mL、4-甲基-5-(2-乙酰氧乙基)噻唑3-7mL、氯代十六烷基吡啶0.1-1mL、余量为水。本发明采用氢氟酸和双氧水取代了三氯化铁,无需经常更换蚀刻液,不仅节约资源而且减少对环境产生的污染,同时本发明并加入了具有缓释效果的氯代十六烷基吡啶和磷酸二氢钠与盐酸、氢氟酸、双氧水配合使用,蚀刻稳定蚀刻速度适中、蚀刻均匀,蚀刻后的电极图形边缘整齐,基本无侧蚀现象。
  • 一种砷化镓基LED外延片的粗化药水及其配制方法-201410359395.4
  • 张督民 - 张督民
  • 2014-07-28 - 2014-12-03 - C09K13/08
  • 本发明涉及一种砷化镓基LED外延片的粗化药水及其配制方法,配方包括下列组分:醋酸775ml~2325ml,硝酸60ml~180ml,氢氟酸90ml~270ml,碘3g~9g。该砷化镓基LED外延片的粗化药水的配制方法,工艺步骤如下:A.量筒量测醋酸后倒入量杯中,再将量杯置入具有加热功能的水槽中,量杯中的药水隔水加热至38℃~42℃;B.取药品碘置于研钵中,使用钵杵将固体颗粒碘研磨成粉末状,将其加入装有醋酸的量杯中;C.再依次加入硝酸和氢氟酸;D.持续加热,同时搅拌8~12分钟,使用温度计量测溶液温度到达38℃~42℃时,开始粗化。本发明使砷化镓基LED外延片的光提取效率提高了30%。
  • 一种二氧化硅蚀刻液及其制备方法-201310180562.4
  • 殷福华;朱龙;邵勇 - 江阴江化微电子材料股份有限公司
  • 2013-05-16 - 2014-11-26 - C09K13/08
  • 本发明公开了一种二氧化硅蚀刻液及其制备方法,所述二氧化硅蚀刻液包括以下重量百分比的组合物:氟化铵溶液20%~30%,氢氟酸3%~6%,余量为超纯水。本发明提供的二氧化硅蚀刻液及其制备方法,称取一定量的氟化铵溶液,在搅拌下加入氢氟酸,充分搅拌15分钟;然后加超纯水,搅拌45分钟。接着将制得的混合物经0.5μm的过滤器过滤,以去除混合物中粒径大于0.5μm的有害粒子,即得二氧化硅蚀刻液。本发明蚀刻液经过精密混配,去除产品中的杂质,蚀刻精度高,速度快。
  • 蚀刻膏组成物及其应用-201410157734.0
  • 刘骐铭;施俊安 - 奇美实业股份有限公司
  • 2014-04-18 - 2014-10-29 - C09K13/08
  • 本发明涉及蚀刻膏组成物及其应用。一种蚀刻膏组成物,包含:含氟化合物(A);溶剂(B),包括芳香醇类溶剂(B-1)、水(B-2)及其他溶剂(B-3);微粒(C),选自于聚合物微粒(C-1)、无机化合物微粒(C-2),或前述的组合;有机增稠剂(D);及酸(E),选自于有机酸(E-1)、无机酸(E-2),或前述的组合。本发明另提供一种蚀刻方法,是将前述的蚀刻膏组成物丝网印刷于触控面板的基板的氧化硅层或氮化硅层上,然后进行蚀刻步骤及清洗步骤。该蚀刻膏组成物经时稳定性良好,适用于丝网印刷的操作。
  • 蚀刻NPN掺杂区域形貌以进行失效检验的组合物及检验方法-201310028802.9
  • 傅蓓芬;吴显欣 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2013-01-25 - 2014-08-06 - C09K13/08
  • 本发明公开一种有效蚀刻NPN掺杂区域形貌以找出失效原因的组合物,用于在PN结剖面轮廓失效检验中进行结染色,该组合物包含:硝酸、氢氟酸、乙酸、水、五水硫酸铜;该组合物的摩尔比为:硝酸:氢氟酸:乙酸:水:五水硫酸铜=2.9712:0.1734:7:5.18:0.08。本发明组合物所采用的组份都是非常便宜的化学溶剂,降低成本;组合物制备方便,任何检验人员都可以简单的自行制备本发明组合物的化学配比,其样本准备远简单于采用电子检验方式中例如SSRM或SCM的电子设备,实现不需要物色和授权外包的供应商提供检验材料,便于进行PN结剖面轮廓失效检验,具有高成功率。
  • 一种BOE蚀刻液的制备方法-201310754779.1
  • 王海;田志扬;张晓东;潘绍忠;张学良;韩虹羽;魏俊明 - 浙江凯圣氟化学有限公司
  • 2013-12-31 - 2014-04-30 - C09K13/08
  • 本发明公开了一种BOE蚀刻液的制备方法。包括如下步骤:(1)将浓度为49wt%氢氟酸(HF),浓度为30wt%氨水,超纯水依次加入到反应器中,于室温下搅拌反应6-12小时,得到氢氟酸(HF)与氟化铵(NH4F)的混合物;(2)向步骤(1)所得混合物中依次加入添加剂、烷基硫酸铵盐阴离子表面活性剂,室温下搅拌混合6-18小时,混合均匀后得通明的BOE蚀刻液。本发明所述方法制备的BOE蚀刻液对二氧化硅具有较高的蚀刻选择性,且可明显降低BOE蚀刻液对硅片的接触角。此外,本发明制备方法操作简单,所得BOE蚀刻液杂质含量低。
  • 一种BOE蚀刻液组合物-201310755319.0
  • 王海;田志扬;潘绍忠;张晓东;张学良;傅明星;王瑞 - 浙江凯圣氟化学有限公司
  • 2013-12-31 - 2014-04-30 - C09K13/08
  • 本发明公开了一种BOE蚀刻液组合物。包括浓度为0.5-30wt%的氢氟酸(HF),浓度为1-40wt%的氟化铵(NH4F)和水,所述组合物还含有添加剂,所述添加剂为脂肪族有机酸(C2-C12)、脂肪族有机碱(C2-C12)、脂肪族有机醇(C2-C12)中的一种或其混合物,BOE蚀刻液组合物还进一步含有烷基硫酸铵盐阴离子表面活性剂。相对传统的湿法蚀刻组合物,本发明所述BOE蚀刻液对二氧化硅具有较高的蚀刻选择性,可高速蚀刻二氧化硅,并且BOE蚀刻液对硅片具有低接触角,可明显改善BOE蚀刻液对硅片蚀刻层的润湿和蚀刻均匀性。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top