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[发明专利]一种液体化学品吨桶清洗装置-CN201710353702.1有效
发明人：朱永刚;殷福华;丁磊 -专利权人：江阴江化微电子材料股份有限公司
申请日： 2017-05-18 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： B08B9/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种液体化学品吨桶清洗装置，包括清洗室、载桶框架和翻转机构，清洗室的一侧设置有吨桶进出口，底端设置有清洗废液出口，翻转机构用于驱动载桶框架在清洗室的内腔中翻转，载桶框架设置有与吨桶相配合的限位件，载桶框架顶端设置有桶内抽液组件和桶内壁清洗组件。该液体化学品吨桶清洗装置结构简单，通过设置清洗室和可翻转的载桶框架，上述结构能保证清洗操作的洁净环境，载桶框架带动吨桶翻转可以使吨桶内残液和清洗液抽除更彻底，减少清洗液的使用量和清洗废液的处理量。
一种液体化学品清洗装置

[发明专利]一种高寿命银膜蚀刻液组合物及蚀刻工艺-CN202111622391.7在审
发明人：徐杨;张秋莲;赵文虎;李旸;邵勇;殷福华 -专利权人：江阴江化微电子材料股份有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C23F1/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种高寿命银膜蚀刻液组合物，主要组成为硝酸、乙酸、A酸、银离子络合剂和水，A酸为选自有机磺酸和磷酸中的至少一种，银离子络合剂为氨基羧酸或者羟基羧酸；还包括除银离子络合剂外的C4～C10多羟基化合物。本发明高寿命银膜蚀刻液组合物基于现有的硝酸乙酸混酸体系，多羟基化合物在基板中裸露的铝表面自组装成膜，银离子络合物充分络合游离的银离子，降低蚀刻体系中的银离子与铝表面接触的几率，延长蚀刻液的使用寿命，提高产线生产效率。本发明还公开了一种高寿命银膜蚀刻液组合物的蚀刻工艺。
一种寿命蚀刻组合工艺

[发明专利]一种正性光刻胶去胶清洗组合物及其应用-CN201811298251.7有效
发明人：李森虎;承明忠;朱龙;邵勇;顾玲燕;陈林;殷福华;赵文虎;姚玮 -专利权人：江阴江化微电子材料股份有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种正性光刻胶去胶清洗组合物，主要组分包括季铵类氢氧化物、水溶性链烷醇胺、水溶性有机极性溶剂和具有环己基的酯类化合物。正性光刻胶去胶清洗组合物中含有具有环己基的酯类化合物，该酯类化合物在碱性有机相中性能稳定，季铵类氢氧化物在水洗液中电离生成氢氧根离子，水洗液呈碱性，具有环己基的酯类化合物碱性条件下水解生成酸和醇并保持反应平衡，酸能快速中和碱液中的氢氧根离子，改善水洗工序对于晶圆表面金属层的腐蚀程度。本发明还公开了正性光刻胶去胶清洗组合物在基板光刻胶剥离工艺中的应用。
一种光刻胶去胶清洗组合及其应用

[发明专利]一种通用型光刻胶剥离液及其应用-CN201811298249.X有效
发明人：李森虎;朱龙;承明忠;邵勇;陈林;顾玲燕;殷福华;赵文虎;姚玮 -专利权人：江阴江化微电子材料股份有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种通用型光刻胶剥离液，主要组成为季铵类氢氧化物、醇醚类化合物、水溶性链烷醇胺、水溶性有机极性溶剂、金属缓蚀剂，通用型光刻胶剥离液中还含有C3～C6的氨基酯。小分子的氨基酯加速光刻胶的溶胀，剥离后水洗溶液中小分子的氨基酯发生水解产生于氢氧根中和的酸，改善水洗过程中的铜铝布线腐蚀现象。本发明还公开了通用型光刻胶剥离液在基板光刻胶剥离工艺中的应用。
一种通用型光刻剥离及其应用

[发明专利]一种光阻剥离液及剥离工艺-CN202110862738.9在审
发明人：陈林;徐杨;李茜茜;李涛;李登涛;靳海仲;邵勇;殷福华;浦陈龙;朱永刚 -专利权人：江阴江化微电子材料股份有限公司;合肥京东方显示技术有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种光阻剥离液，光阻剥离液的主要组成为醇胺类化合物、醇醚类化合物、有机溶剂和齐聚物添加剂；齐聚物添加剂为选自聚乙二醇以及亲水基团封端的聚乙二醇、聚乙二醇醚、聚丙二醇、聚丙二醇醚中的一种或两种以上的组合，亲水基团为氨基或羧基。本发明光阻剥离液中的齐聚物添加剂分子呈链状，分子链中均匀分布有亲水基团，齐聚物添加剂参与修饰光阻短分子链，改善剥离液的水洗性能，降低基板残留，减少甚至杜绝鼓包、短路等缺陷，提高液晶面板良率。本发明还公开了一种基于上述光阻剥离液的剥离工艺。
一种剥离工艺

[发明专利]一种配向膜脱膜剂组合物及脱膜工艺-CN201811298244.7有效
发明人：徐杨;邵勇;朱龙;陈林;承明忠;周勰;殷福华;赵文虎 -专利权人：江阴江化微电子材料股份有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C11D7/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种配向膜脱膜剂组合物，主要组成为碱性组分、非质子极性溶剂、有机醇溶剂和水，碱性组分中包含吗啉和/或具有吗啉环仲胺基团的吗啉衍生物。本发明配向膜脱膜剂组合物中引入了具有仲胺基团的吗啉和/或吗啉衍生物，吗啉分子结构中具有仲胺基团，因此其水溶液具有强碱性，可部分替代或者全部替代碱金属氢氧化物，降低脱膜剂组合物中的碱金属氢氧化物含量，不伤底层ITO及金属层；配向膜脱膜剂组合物中的水含量高，有助于提高配向膜脱膜过程中的的安全系数。本发明还公开了一种配向膜脱膜剂组合物的脱膜工艺。
一种膜脱膜剂组合工艺

[发明专利]一种正性光刻胶用显影液及其应用-CN201710825460.1有效
发明人：李森虎;殷福华;徐辉;赵文虎;顾玲燕 -专利权人：江阴江化微电子材料股份有限公司
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种正性光刻胶用显影液，主要组分包含碱源、润湿分散剂、金属保护剂、水和显影增强剂，显影增强剂为选自硼酸、C2～C4的羟基酸中的一种或两种的组合，碱源与显影增强剂的摩尔比为1：（0.05～0.2）。本发明正性光刻胶用显影液通过加入显影增强剂，形成碱性的缓冲溶液，调节显影液中氢氧根的初始浓度，随着氢氧根的持续消耗，推动了缓冲溶液物质水合反应的进行生成氢氧根，显影速度适中。本发明还公开了正性光刻胶用显影液的制备方法及应用。
一种光刻显影液及其应用

[发明专利]一种半导体制程正性光刻胶去胶液及应用-CN201710825459.9有效
发明人：李森虎;殷福华;徐辉;赵文虎;顾玲燕 -专利权人：江阴江化微电子材料股份有限公司
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体制程正性光刻胶去胶液，包含链烷醇胺、金属缓蚀剂、与水混溶的极性有机溶剂、添加剂和水，添加剂为低碳硝基烷烃及其衍生物，低碳硝基烷烃的碳原子数为1～3。该半导体制程正性光刻胶去胶液可以快速去除正性光刻胶层，且去胶液中光刻胶的溶解度增加，处理后的半导体表面无光刻胶残留，且对光刻胶下方的铝层或铜层或铜铝合金层没有腐蚀。
一种半导体制程正性光刻胶去胶液应用

[发明专利]一种选择性铜腐蚀液及应用-CN201710825462.0有效
发明人：李森虎;殷福华;徐辉;赵文虎;顾玲燕 -专利权人：江阴江化微电子材料股份有限公司
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种选择性铜腐蚀液，按重量百分比计包含：1～20%的氧化剂、0.001～5%的过氧化氢稳定剂、0.01～10%的无机酸、1～4%的可溶性有机酸二价铜盐、0.01～8%的螯合剂和/或缓蚀剂、0.001～3%的表面活性剂和余量水，氧化剂的主要组成为过氧化氢。在腐蚀液中同时加入无机酸和可溶性有机酸二价铜盐，加快腐蚀液溶出铜的预反应，有助于实现均匀蚀刻，得到可控的电极形状。本发明还公开了一种选择性铜腐蚀液在半导晶片上腐蚀铜或铜化合物层的应用。
铜腐蚀氧化剂二价铜盐腐蚀液无机酸有机酸过氧化氢稳定剂蚀刻表面活性剂铜化合物层重量百分比电极形状过氧化氢缓蚀剂可控的预反应螯合剂晶片溶出应用腐蚀

[发明专利]一种电子化学品塑料包装桶洁净烘房-CN201711194811.X有效
发明人：顾维忠;朱永刚;殷福华;朱龙 -专利权人：江阴江化微电子材料股份有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： F26B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子化学品塑料包装桶洁净烘房，包括洁净热风箱和具有密封内腔的烘房，烘房侧面设置有密封门，洁净热风箱和烘房之间形成闭合回路，洁净热风箱的进气端与空气进料管和烘房的排风管联通，洁净热风箱的排气端通过风机和管道与烘房的进风管联通，洁净热风箱的进气端至排气端之间依次设置有过滤组件、加热组件、除湿组件，过滤组件和除湿组件与洁净热风箱的箱体侧壁密封连接。该电子化学品塑料包装桶洁净烘房通过在洁净热风箱中增设除湿组件，降低进入烘房中空气的湿度，在一定的温度和压力下，由于存在一定的气液平衡，加快包装桶内核/或表面的水滴的蒸发，有助于烘房中化学品包装桶的快速烘干。
一种电子化学品塑料包装洁净烘房

[发明专利]一种高世代平板铜制程光阻剥离液-CN201610551574.7有效
发明人：邵勇;殷福华;栾成;陈林;朱龙;顾玲燕;赵文虎;李英 -专利权人：江阴江化微电子材料股份有限公司
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种高世代平板铜制程光阻剥离液，按质量百分比计包括：5～25%的醇胺、5～30%的醇、0.01～3%的金属抗蚀剂、0.1～1%的有机酸和25～75%的有机溶剂。本发明高世代平板铜制程光阻剥离液组分简单，采用碱性较低的醇胺侵蚀光刻胶，并且向剥离液组分中添加有机酸作为助溶剂，提高有机溶剂体系对光刻胶的剥离和溶解能力，且通过加入抗蚀剂减少剥离液体系对铜和基板的侵蚀，处理后的铜阵列无光刻胶残留；剥离液体系具有低挥发形和低毒性，使用温度下损失小，组分稳定且水溶性好，便于清洗。
一种世代平板铜制程光阻剥离

[实用新型]一种具有自动液位监控装置的化学品储罐-CN201821689016.8有效
发明人：顾洪卫;朱永刚;顾玲燕;殷福华 -专利权人：江阴江化微电子材料股份有限公司
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： B65D90/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有自动液位监控装置的化学品储罐，包括罐体、进出料装置和液位监控装置，液位监控装置包括与罐体相连通的液位计和设置在液位计上的低液位侦测探头与高液位侦测探头；罐体的气相出入口分别经进气、排气自动阀连接至槽车，罐体的液相出入口分别经入料、出料自动阀连接至槽车；高低液位侦测探头、进气自动阀、排气自动阀、入料自动阀和出料自动阀均与控制系统主机电连接。该化学品储罐通过液位侦测探头与控制系统连接，全管路自动连锁控制，液位监控精确，快速，实现化学品储罐内液位的监控警示和防止化学品储罐卸料时物料溢出，节省人力成本，提高工作效率，防止生产事故的发生，提高了工作人员和设备的安全性。
化学品储罐侦测探头自动阀罐体液位监控装置出料自动阀监控装置自动液位出入口液位计进气入料排气控制系统主机本实用新型进出料装置高低液位工作效率监控警示控制系统人力成本生产事故液位监控自动连锁低液位电连接高液位内液卸料液位溢出

[实用新型]一种化学品槽车的移动式自动充填装置-CN201821689013.4有效
发明人：顾洪卫;朱永刚;顾玲燕;殷福华 -专利权人：江阴江化微电子材料股份有限公司
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： B67D7/54 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种化学品槽车的移动式自动充填装置，包括用于放置原料储罐的第一柜体，原料储罐的出口管路经过设置在第二柜体内依次连接的第一自动阀、气动泵、第二自动阀和第一侦测探头连接至过滤器的入口，过滤器的出口管路分成两路，其中第一管路上设有取样阀，第二管路经第三自动阀连接至槽车储罐的入口，槽车储罐的出口通过管路经第四自动阀、第二侦测探头和第五自动阀连接至原料储罐的入口；第三柜体内设置控制系统装置，侦测探头和自动阀均与控制系统装置电连接。该装置分别设置第一侦测探头和第二侦测探头，可精确测量填充管路中的物料流量和流速，可自动停止物料向槽车内填充；可测量气路中的物料，避免槽车储罐中的物料溢出。
自动阀侦测探头槽车储罐原料储罐自动充填装置过滤器出口管路化学品移动式填充体内控制系统装置设置控制系统本实用新型物料流量依次连接自动停止电连接可测量气动泵取样阀柜体两路气路溢出测量出口

[发明专利]一种双组份选择性钛腐蚀液及钛腐蚀方法-CN201710825471.X有效
发明人：李森虎;殷福华;徐辉;赵文虎;顾玲燕 -专利权人：江阴江化微电子材料股份有限公司
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： C23F1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种双组份选择性钛腐蚀液，由A组分和B组分在使用前混合而成；A组分的主要组成为碱的水溶液，碱为可溶性碱和季铵氢氧化物中的至少一种；B组分包含过氧化氢、过氧化氢稳定剂和水；A组分中还包含强碱弱酸盐，强碱弱酸盐对应的弱酸为非还原性酸。本发明双组份选择性钛腐蚀液通过加入强碱弱酸盐，稳定腐蚀液中氢氧根的浓度，腐蚀液性能稳定，有助于延长其寿命，通过对强碱弱酸盐的进一步选择，有效降低铜层的侧蚀量和铝层的侵蚀，提高蚀刻的均匀性。
腐蚀液强碱弱酸盐双组份氢氧根过氧化氢稳定剂季铵氢氧化物蚀刻非还原性酸过氧化氢可溶性碱均匀性侧蚀铝层弱酸铜层腐蚀侵蚀

[发明专利]一种铜或铜合金布线用水系光阻剥离液-CN201610829920.3有效
发明人：邵勇;殷福华;栾成;陈林;顾玲燕;朱龙 -专利权人：江阴江化微电子材料股份有限公司
申请日： 2016-09-19 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜或铜合金布线用水系光阻剥离液，按质量百分比计包括：5～25%的醇胺、5～30%的醇、0.01～3%的金属抗蚀剂、0.1～1%的有机酸和25～75%的有机溶剂。本发明铜或铜合金布线用水系光阻剥离液组分简单，采用碱性较低的醇胺侵蚀光刻胶，并且向剥离液组分中添加有机酸作为助溶剂，提高有机溶剂体系对光刻胶的剥离和溶解能力，且通过加入抗蚀剂减少剥离液体系对铜和基板的侵蚀，处理后的铜阵列无光刻胶残留；剥离液体系具有低挥发形和低毒性，使用温度下损失小，组分稳定且水溶性好，便于清洗。
一种铜合金布线水系剥离

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