[发明专利]晶闸管及其版图结构在审
| 申请号： | 201410139010.3 | 申请日： | 2014-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN103928510A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 葛雯;刘梅 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶闸管及其版图结构，通过栅极结构、第二N型注入区（作为源极）和第三N型注入区（作为漏极）形成了一个NMOS结构，当正向ESD发生时，通过电容会将栅极结构端耦合出一个正电位，此时NMOS结构的漏电增加，P阱到第二N型注入区的漏电流增加，从而导致P阱电阻压降增大，促进NPN晶体管发射结的导通，进一步使晶体管NPN导通。至此，将触发PNP晶体管导通，使晶闸管开启，可降低晶闸管的开启电压。通过电阻和电容形成RC触发电路，可通过控制电阻值和电容值来调节延迟时间，使得栅极结构端耦合出的正电位不会马上接地，延长栅极结构端正电位的时间，进一步控制NPN晶体管的导通，从而调制晶闸管的开启电压。 | ||
| 搜索关键词： | 晶闸管 及其 版图 结构 | ||
【主权项】：
一种晶闸管，其特征在于，包括：衬底；位于衬底中的N阱和P阱；位于N阱中的第一N型注入区及第一P型注入区；位于P阱中的第二N型注入区及第二P型注入区；以及位于N阱和P阱之间的第三N型注入区；其中，所述第二N型注入区和第三N型注入区之间形成有栅极结构，所述栅极结构通过电容与第一电平连接，所述栅极结构通过电阻与第二电平连接，所述第一电平高于第二电平。
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