[发明专利]用于半导体制造的氧化炉保温桶及氧化方法有效
申请号: | 201410117707.0 | 申请日: | 2014-03-27 |
公开(公告)号: | CN103871940B | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | 林伟华;兰天;宋辰龙;王兵 | 申请(专利权)人: | 北京七星华创电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;林彦之 |
地址: | 100016 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于半导体制造的氧化炉保温桶及氧化方法,该保温桶包括底座、固定于底座上的限位柱、至少一片鳍片,该鳍片被限位柱阻挡以防止掉落并平行层叠于底座上,该鳍片之间具有一间隙。本发明的保温桶具有可拆卸式的一片或多片鳍片,通过支柱安装在保温桶的底座上,根据不同湿氧工艺温度需求来调整鳍片的数量,能有效防止低工艺温度时水蒸汽形成的水珠对工艺和器件产生的不良影响,同时避免高工艺温度对工艺门密封部件造成的损伤。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体 制造 氧化 保温桶 方法 | ||
【主权项】:
一种用于半导体制造的氧化炉保温桶,其特征在于:其包括底座、固定于底座上的限位柱、数片鳍片,该限位柱包括至少三根设于底座边缘并限位该鳍片边缘的支柱和/或至少一根设于底座上并穿过该鳍片上预设的孔的支柱,该鳍片被限位柱阻挡以防止掉落并平行层叠于底座上,该鳍片的上表面和/或下表面具有数个等高的凸出部,以与上下相邻的鳍片形成固定间隙;其中,保温桶结构为组装式,其具有可拆卸式的一片或多片鳍片,通过根据不同湿氧工艺温度需求来调整鳍片的数量,使保温桶热容发生变化,以改变工艺门处温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造