[发明专利]电可擦除可编程只读存储器的控制方法有效
申请号: | 201410097822.6 | 申请日: | 2014-03-17 |
公开(公告)号: | CN103886908B | 公开(公告)日: | 2017-09-29 |
发明(设计)人: | 顾靖 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34;G11C16/06 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种电可擦除可编程只读存储器的控制方法,包括通过对电可擦除可编程只读存储器的存储器单元的控制栅、字线、源极和漏极分别施加不同的工作电压进行擦除、编程和读取操作;擦除操作的次数达到设定值之后将所述源极的工作电压和漏极的工作电压进行互换。在本发明提供的电可擦除可编程只读存储器中,通过将源极和漏极的工作电压进行互换使得所述存储器单元中的两个存储单元交替工作,从而延长所述电可擦除可编程只读存储器的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 擦除 可编程 只读存储器 控制 方法 | ||
【主权项】:
一种电可擦除可编程只读存储器的控制方法,其特征在于,所述电可擦除可编程只读存储器包括由多个存储器单元组成的存储器阵列,所述存储器单元包括半导体衬底、字线、源极和漏极,所述字线、源极和漏极均位于所述半导体衬底的上面,所述字线位于所述源极和漏极之间,所述字线与所述源极和漏极之间分别形成一存储单元;所述控制方法包括:通过对电可擦除可编程只读存储器的存储器单元的控制栅、字线、源极和漏极分别施加不同的工作电压进行擦除、编程和读取操作;每当擦除操作的次数达到设定值就将所述源极的工作电压和漏极的工作电压进行互换,使得所述存储器单元中的两个存储单元交替工作。
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