[发明专利]磁阻型随机存取存储器器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410095518.8 | 申请日： | 2014-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN104051613B | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 朴钟撤;徐载训;裴丙才;宣昌佑 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L27/22;H01L43/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及磁阻型随机存取存储器器件及其制造方法。一种制造磁阻型随机存取存储器(MRAM)器件的方法包括：在衬底上以交替且重复的布置形成第一图案和第二图案；在第一图案和第二图案的顶表面上形成第一帽层；以及去除第一帽层的第一部分和在第二图案下方的部分，以形成暴露衬底的第一开口。该方法还包括形成分别填充第一开口的下部的源极线；形成分别填充第一开口的上部的第二帽层图案；以及去除第一帽层的第二部分和在第二图案下方的部分，以形成暴露衬底的第二开口。从而，在衬底上一体地形成且顺序地叠堆接触塞和焊盘层，以填充第二开口。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 开口 衬底 帽层 随机存取存储器 磁阻 填充 去除 制造 一体地形成 顶表面 焊盘层 接触塞 源极线 暴露 叠堆 重复 | ||
【主权项】：
1.一种制造MRAM器件的方法，包括：在衬底上形成第一图案和第二图案，所述第一图案和所述第二图案交替且重复地设置并且彼此接触；在所述第一图案和所述第二图案的顶表面上形成第一帽层；去除所述第一帽层的第一部分和所述第二图案在所述第一部分下方的部分，以形成暴露所述衬底的第一开口；形成分别填充所述第一开口的下部的源极线；形成分别填充所述第一开口的上部的第二帽层图案；去除所述第一帽层的第二部分和所述第二图案在所述第二部分下方的部分，以形成暴露所述衬底的第二开口；以及一体地形成顺序叠堆在所述衬底上的接触塞和焊盘层，以分别填充第二开口。
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