[发明专利]一种从硅合金熔体中半连续结晶提纯硅的方法

摘要

本发明公开了一种从硅合金熔体中半连续结晶提纯硅的方法，将硅与Al或Al合金加热熔化形成Al-Si基合金熔体，将气冷旋转结晶杆插入熔体中使硅晶体从合金熔体中析出，而B，P等主要杂质留于合金熔体中，达到除杂效果。装置采用气体冷却插入熔体中的连续旋转的结晶杆，采用较高的冷却速度提高晶体生长速度，在硅合金熔体中实现半连续结晶生长。本发明具有能耗低，无污染，生产效率高，可以实现半连续生产，投资规模小，生产工艺和设备操作简单的优点。

主权项

一种从硅合金熔体中半连续结晶提纯硅的装置，其特征在于：包括有支撑座，支撑座一侧设置有密闭的加热炉，加热炉中设置有坩埚，所述支撑座顶部竖向连接有支撑杆，支撑杆顶端支撑有驱动电机座，驱动电机座上安装有驱动电机，驱动电机输出轴竖直向下穿过驱动电机座且传动连接有竖直的直线导杆，所述直线导杆上固定有晶转电机座，晶转电机座上安装有晶转电机，晶转电机座座端悬于加热炉上方，且晶转电机座座端转动安装有皮带轮，所述晶转电机输出轴通过皮带与皮带轮传动连接，所述皮带轮中心固定有竖向的内部中空的结晶杆，所述结晶杆底端封闭，结晶杆底端竖直向下穿过加热炉伸入坩埚中，结晶杆中竖直插入有冷却气管。