[发明专利]底切减轻的晶片级封装在审
| 申请号： | 201410079669.4 | 申请日： | 2014-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN104037162A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | V·汉德卡尔;C·劳克林;T·周 | 申请（专利权）人： | 马克西姆综合产品公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 蔡胜利 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了晶片级封装器件和工艺，其利用干蚀刻处理来减轻金属晶种层的底切。在实施方式中，采用本发明的工艺的用于制造晶片级封装器件的方法包括：处理基板；将金属晶种层沉积在所述基板上；沉积和图案化抗蚀剂层；沉积再分布层结构；去除光致抗蚀剂层；以及干蚀刻金属晶种层。在各实施方式中，采用根据本发明的示例性工艺的晶片级封装器件包括：基板；设置在所述基板上的金属晶种层；以及形成在金属晶种层上的再分布层结构。金属晶种层被干蚀刻，从而底切得以减轻。 | ||
| 搜索关键词： | 减轻 晶片 封装 | ||
【主权项】：
一种晶片级封装器件，包括：基板；金属晶种层，其设置在所述基板上；再分布层结构，其设置在所述金属晶种层上，其中，所述金属晶种层已被干蚀刻，并且所述金属晶种层的至少一个露出边缘与所述再分布层结构的对应露出边缘至少基本上齐平。
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