[发明专利]集成ESD保护的耗尽型功率MOS器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种集成ESD保护的耗尽型功率MOS器件及其制备方法，所述方法包括场氧化层生长，环区光刻和环区屏蔽氧化层生长；环区推结和环区氧化层再生长；有源区光刻；阱区屏蔽氧化层生长；ESD多晶硅淀积，ESD离子注入；ESD多晶硅光刻和刻蚀；阱区较高温推结和阱区屏蔽氧化层去除；VTH屏蔽氧化层生长；栅氧生长，栅极多晶硅淀积；栅极多晶硅光刻和刻蚀；源区光刻和离子注入，源区推结；ILD氧化层淀积，接触孔光刻和刻蚀；金属淀积，金属光刻和刻蚀，背面减薄和背面金属化。本发明的优点是制造的耗尽型MOSFET器件能够有效地减小ESD多晶硅二极管的泄漏电流，提高了该器件抗ESD冲击的能力。

主权项

一种集成ESD保护的耗尽型功率MOS器件的制备方法，其特征在于，包括：步骤一、场氧化层生长，环区光刻和环区场氧刻蚀，光刻胶去除，环区屏蔽氧化层生长，和环区离子注入；步骤二、环区推结和环区氧化层再生长；步骤三、有源区光刻，场氧刻蚀和光刻胶去除；步骤四、阱区屏蔽氧化层生长，阱区光刻，阱区离子注入，光刻胶去除；步骤五、ESD多晶硅淀积，ESD离子注入；步骤六、ESD多晶硅光刻和刻蚀，光刻胶去除；步骤七、阱区较高温推结，和阱区屏蔽氧化层去除，所述较高温为1150~1175℃；步骤八、VTH屏蔽氧化层生长，VTH离子注入；步骤九、栅氧生长，栅极多晶硅淀积；步骤十、栅极多晶硅光刻和刻蚀，光刻胶去除；步骤十一、源区光刻和离子注入，源区推结；步骤十二、ILD氧化层淀积，ILD致密，接触孔光刻和刻蚀，回流，接触孔注入；步骤十三、金属淀积，金属光刻和刻蚀，背面减薄和背面金属化。