[发明专利]集成驱动电阻的DMOS器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201410058147.6 | 申请日： | 2014-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN104867972B | 公开（公告）日： | 2017-09-05 |
| 发明（设计）人： | 蔡远飞;何昌;姜春亮 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人： | 李迪 |
| 地址： | 100871 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成驱动电阻的DMOS器件及其制作方法，涉及半导体技术领域，所述DMOS器件包括栅端口、驱动电阻和若干DMOS单元，每个DMOS单元均包括栅极，所述栅端口与所述驱动电阻的一端连接，所述驱动电阻的另一端与每个DMOS单元的栅极分别连接。本发明通过在DMOS器件中设置栅端口的驱动电阻，降低了DMOS单元的开关速度，并抑制了高频振荡。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 驱动 电阻 dmos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种用于制作集成驱动电阻的DMOS器件的制作方法，其特征在于，所述DMOS器件包括：栅端口、驱动电阻和若干DMOS单元，每个DMOS单元均包括栅极，所述栅端口与所述驱动电阻的一端连接，所述驱动电阻的另一端与每个DMOS单元的栅极分别连接；所述制作方法包括：S1：在衬底的上表面生长外延层；S2：在所述外延层的上表面从下到上依次生长栅氧化层和多晶硅层；S3：对所述多晶硅层上表面除待设置驱动电阻外的区域进行掺杂；S4：对掺杂后的多晶硅层进行刻蚀，保留所述待设置驱动电阻的区域，并形成栅极多晶硅，所述栅极多晶硅为DMOS单元的栅极；S5：对所述待设置驱动电阻的区域进行掺杂，以形成所述驱动电阻；S6：将所述驱动电阻的一端和所述栅极多晶硅相连，所述驱动电阻的另一端与DMOS器件的栅端口连接。
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