[发明专利]晶圆级封装结构及其形成方法、以及封装方法

摘要

一种晶圆级封装结构及其形成方法、以及封装方法，其中，晶圆级封装结构包括：包括若干芯片区域和位于芯片区域之间的切割道区域的待封装晶圆，且待封装晶圆包括第一面和与第一面相对的第二面；位于待封装晶圆芯片区域第一面的焊垫和感光元件；覆盖于焊垫和切割道区域表面的第一围堤结构，位于第一围堤结构上方的第二围堤结构，第二围堤结构的宽度小于第一围堤结构的宽度，且第二围堤结构的位置对应于切割道区域对应的位置；与所述待封装晶圆第一面相对设置的封装盖，且通过所述第一围堤结构和第二围堤结构将封装盖与待封装晶圆固定接合。本发明在封装工艺的最后使封装盖和待封装晶圆自动分离，使得封装工艺后形成的芯片的性能更优越。

主权项

一种晶圆级封装结构，其特征在于，包括：待封装晶圆，所述待封装晶圆包括若干芯片区域和位于芯片区域之间的切割道区域，且所述待封装晶圆包括第一面和与所述第一面相对的第二面；位于所述待封装晶圆芯片区域第一面的焊垫和感光元件；覆盖于所述焊垫和切割道区域表面的第一围堤结构，位于第一围堤结构上方的第二围堤结构，第二围堤结构的宽度小于第一围堤结构的宽度，且第二围堤结构的位置对应于切割道区域的位置，其中，所述第二围堤结构位于第一围堤结构表面，所述第二围堤结构和第一围堤结构为一体结构，且所述一体结构中第二围堤结构的宽度小于切割道区域的宽度；与所述待封装晶圆第一面相对设置的封装盖，且通过所述第一围堤结构和第二围堤结构将封装盖与待封装晶圆固定接合。