[发明专利]超薄形圆片级封装制造方法有效
| 申请号： | 201410033740.5 | 申请日： | 2014-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN103811357A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 施建根 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 孟阿妮 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种超薄形圆片级封装制造方法，包括：提供圆片，所述圆片的一面阵列分布有多个芯片；在所述芯片远离所述圆片的表面形成导电凸点；在圆片形成有导电凸点的一面贴一层保护膜；将圆片形成有导电凸点的一面向下，放置在载片台上，在圆片未形成所述芯片的一面选择性环状减薄，形成周边厚中间薄的环状结构；将选择性环状减薄后的圆片翻转，放置在载片台上；撕去形成于圆片上的保护膜；对去除保护膜的圆片进行测试，测试之后进行切割。本发明提供的超薄形圆片级封装制造方法，实现了同样功能的半导体器件圆片封装的单体芯片厚度越来越薄的目标，并且实现了圆片背部减薄后只有微小翘曲的目标。 | ||
| 搜索关键词： | 超薄 形圆片级 封装 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种超薄形圆片级封装制造方法，其特征在于，包括：S201：提供圆片，所述圆片的一面阵列分布有多个芯片；S202：在所述芯片远离所述圆片的表面形成导电凸点；S203：在圆片形成有导电凸点的一面贴一层保护膜；S204：将圆片形成有导电凸点的一面向下，放置在载片台上，在圆片未形成所述芯片的一面选择性环状减薄，形成周边厚中间薄的环状结构；S205：将选择性环状减薄后的圆片翻转，放置在载片台上；S206：撕去形成于圆片上的保护膜；S207：对去除保护膜的圆片进行测试，测试之后进行切割。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
