[发明专利]芯片级封装结构无效
申请号: | 201410032792.0 | 申请日: | 2014-01-23 |
公开(公告)号: | CN103811451A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 施建根 | 申请(专利权)人: | 南通富士通微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 孟阿妮 |
地址: | 226006 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种芯片级封装结构,包括:半导体芯片,在其上表面设置有电极;凸点下金属层,设置在所述电极上表面;金属柱,设置在凸点下金属层的上表面。在凸点下金属层上设置金属柱,该金属柱能够缓解热应力,能够减少或消除因为热膨胀不均与而引起的凸点下金属层或电极的断裂,减少了半导体封装结构的失效率。 | ||
搜索关键词: | 芯片级 封装 结构 | ||
【主权项】:
一种芯片级封装结构,其特征在于,包括:凸点下金属层;金属柱,设置在凸点下金属层的上表面,所述金属柱上表面设置接触端子。
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