[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 201410008297.6 | 申请日： | 2014-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN103928584A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 丁焕熙 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/20;H01L33/32;H01L33/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;吴鹏章 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 根据实施方案的发光器件包括：包括第一导电半导体层、布置在第一导电半导体层之下的有源层、以及布置在有源层之下的第二导电半导体层的发光结构；布置在发光结构之下并且电连接到第一导电半导体层的第一电极；布置在发光结构之下并且电连接到第二导电半导体层的第二电极；以及布置为穿过发光结构并且包括电连接到第一电极的第一区域和与第一导电半导体层的顶表面接触的第二区域的第一接触部分。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、布置在所述第一导电半导体层之下的有源层、以及布置在所述有源层之下的第二导电半导体层；第一电极，所述第一电极布置在所述发光结构之下并且电连接到所述第一导电半导体层；第二电极，所述第二电极布置在所述发光结构之下并且电连接到所述第二导电半导体层；以及第一接触部分，所述第一接触部分布置为穿过所述发光结构并且包括电连接到所述第一电极的第一区域和与所述第一导电半导体层的顶表面接触的第二区域。
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