[发明专利]选择性转移半导体元件的方法有效
| 申请号： | 201380077951.2 | 申请日： | 2013-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN105359282B | 公开（公告）日： | 2018-01-16 |
| 发明（设计）人： | 吕志强;林俊宇;陈怡名;林敬倍;简崇训;黄建富;顾浩民;谢明勋;徐子杰 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种选择性分离半导体元件的方法，包含下列步骤a.提供一基板(101)具有第一表面(1011)及第二表面；b.提供多个半导体外延叠层位于第一表面(1011)上，其中任一多个半导体外延叠层包含第一半导体外延叠层(31)与第二半导体外延叠层(32)，且第二半导体外延叠层(32)与第一半导体外延叠层(31)隔开，其中第一半导体外延叠层(31)与基板(101)之间的粘着力不同于第二半导体外延叠层(32)与基板(101)之间的粘着力；c.自基板(101)选择性地分离第一半导体外延叠层(31)或第二半导体外延叠层(32)。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 转移 半导体 元件 方法 | ||
【主权项】：
一种选择性分离半导体元件的方法，包含下列步骤：a.提供一基板具有第一表面及第二表面；b.提供多个半导体外延叠层位于该第一表面上，其中任一该多个半导体外延叠层包含第一半导体外延叠层与第二半导体外延叠层，且该第二半导体外延叠层与该第一半导体外延叠层隔开，其中该第一半导体外延叠层与该基板之间的粘着力不同于该第二半导体外延叠层与该基板之间的粘着力；c.自该基板选择性地分离该第一半导体外延叠层或该第二半导体外延叠层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶元光电股份有限公司，未经晶元光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380077951.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种离心压缩机
- 下一篇：一种自泄压油浸式潜水电泵
