[发明专利]电阻式存储器的低功率写和读操作的装置有效
| 申请号： | 201380076998.7 | 申请日： | 2013-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN105531767B | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | L·魏;F·哈姆早格鲁;Y·王;N·J·奥古斯特;B·C·林;C·德雷 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L29/82;G06F13/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 徐予红,张懿 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述用于提高电阻式存储器能量效率的装置。装置执行数据驱动写以利用write0与write1操作之间的不对称写开关能量。装置包括电阻式存储器单元，其耦合于位线和选择性；第一通路门，其耦合于位线；第二通路门，其耦合于选择线；和复用器，其可由输入数据操作，复用器根据输入数据的逻辑水平向第一和第二通路门或写驱动器提供控制信号。装置包括用于在写操作之前执行读的电路，其避免初始低功率读操作的不必要写。装置包括用于执行自控写操作的电路，位单元一翻转则电路停止写操作。装置包括用于执行自控读操作的电路，一检测到数据则电路停止读操作。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储器 功率 操作 装置 | ||
【主权项】：
一种存储器装置，所述装置包括：电阻式存储器单元，其耦合于位线和选择线；第一通路门，其耦合于所述位线；第二通路门，其耦合于所述选择线；和复用器，其可由输入数据操作，所述复用器用于根据所述输入数据的逻辑电平向所述第一和第二通路门提供控制信号。
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