[发明专利]用于静电放电(ESD)保护的延伸漏极非平面MOSFET

摘要

描述了采用了一个或多个非平面金属氧化物半导体晶体管(MOSFET)的骤回ESD保护器件。所述ESD保护器件还可包括轻掺杂延伸漏极区，所述轻掺杂延伸漏极区的电阻可通过控制栅极来电容地控制，而不依赖于被保持处于地电位的栅极电极。控制电极可以是浮置的或被偏置，以便调制ESD保护器件性能。在实施例中，利用多个非平面基于MOSFET的ESD保护器件来保护多个核心电路，所述多个非平面基于MOSFET的ESD保护器件具有跨所述多个非平面基于MOSFET的ESD保护器件改变的控制栅极电位。 1

主权项

1.一种用于集成电路(IC)的静电放电(ESD)保护器件，包括：多个半导体鳍状物，所述多个半导体鳍状物从基板延伸，其中，栅极电极设置在所述多个半导体鳍状物之上；重掺杂源极区和重掺杂漏极区，所述重掺杂源极区和所述重掺杂漏极区设置在每一个栅极电极的相对侧上的所述半导体鳍状物中的每一个半导体鳍状物中，其中，所述源极区和所述栅极电极电耦合到具有相同的地参考电位的一个或多个集成电路(IC)节点，并且其中，所述重掺杂漏极区电耦合到设置在所述集成电路(IC)的I/O与所述集成电路(IC)的耦合到所述I/O的核心电路之间的电路节点；以及轻掺杂延伸漏极区，所述轻掺杂延伸漏极区设置在所述半导体鳍状物中，并且使所述栅极电极与所述重掺杂漏极区间隔开一量值，所述量值大于在所述栅极电极与所述源极区之间的间隔，所述重掺杂漏极区嵌入在所述轻掺杂延伸漏极区内。