[发明专利]用于静电放电(ESD)保护的延伸漏极非平面MOSFET

权利要求书

1.一种用于集成电路(IC)的静电放电(ESD)保护器件，包括：

多个半导体鳍状物，所述多个半导体鳍状物从基板延伸，其中，栅极电极设置在所述多个半导体鳍状物之上；

重掺杂源极区和重掺杂漏极区，所述重掺杂源极区和所述重掺杂漏极区设置在每一个栅极电极的相对侧上的所述半导体鳍状物中的每一个半导体鳍状物中，其中，所述源极区和所述栅极电极电耦合到具有相同的地参考电位的一个或多个集成电路(IC)节点，并且其中，所述重掺杂漏极区电耦合到设置在所述集成电路(IC)的I/O与所述集成电路(IC)的耦合到所述I/O的核心电路之间的电路节点；以及

轻掺杂延伸漏极区，所述轻掺杂延伸漏极区设置在所述半导体鳍状物中，并且使所述栅极电极与所述重掺杂漏极区间隔开一量值，所述量值大于在所述栅极电极与所述源极区之间的间隔，所述重掺杂漏极区嵌入在所述轻掺杂延伸漏极区内。

2.如权利要求1所述的器件，还包括：

控制栅极，所述控制栅极设置在所述栅极电极与所述重掺杂漏极区之间的所述半导体鳍状物之上，其中，所述控制栅极电容地耦合到所述轻掺杂延伸漏极区的至少一部分并且与所述栅极电极电绝缘。

3.如权利要求2所述的器件，其中，所述控制栅极用以控制在所述延伸漏极区内的电荷载子耗尽或累积，以便调整所述器件的骤回保持电压。

4.如权利要求2所述的器件，还包括控制栅极电压源，所述控制栅极电压源耦合到所述控制栅极，其中，所述控制栅极电压源用以将所述控制栅极设定为预定的控制栅极电压电位，而不是栅极电极参考电位。

5.如权利要求4所述的器件，其中，所述控制栅极和所述栅极电极是相同材料的，并且通过相同的栅极电介质电容地耦合到所述半导体鳍状物，其中，所述控制栅极与所述重掺杂漏极区间隔开一量值，所述量值小于在所述栅极电极与所述控制栅极之间的间隔。

6.如权利要求1所述的器件，其中，所述半导体鳍状物包括在所述栅极电极之下的p型掺杂硅，其中，所述源极区和所述重掺杂漏极区是n型重掺杂的，其中，所述延伸漏极区被n型掺杂到10¹⁶cm^-3-10²⁰cm^-3，并且其中，所述器件在11V的漏极电压下的导通状态电流是每μm沟道宽度为至少0.4A。

7.一种具有静电保护的集成电路(IC)器件，包括：

多个核心电路，所述多个核心电路设置在基板之上；

多个I/O，所述多个I/O设置在所述基板之上，其中，所述核心电路中的每一个核心电路耦合到所述I/O中的至少一个I/O，以使所述核心电路与一个或多个外部器件通过接口连接；

多个根据权利要求1所述的静电放电(ESD)保护器件，每一个ESD保护器件耦合到设置在所述核心电路中的至少一个核心电路与I/O管脚或焊盘中的至少一个I/O管脚或焊盘之间的节点，其中，所述ESD保护器件中的每一个ESD保护器件包括延伸漏极非平面金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

8.如权利要求7所述的集成电路器件，还包括控制栅极电压源，其中，能够将所述控制栅极电压源独立地控制到除地电位之外的预定的电压电位。

9.如权利要求8所述的集成电路器件，其中，所述预定的电压电位在0.5V与1.2V之间。

10.如权利要求8所述的集成电路器件，其中，所述预定的电压电位基于所述核心电路的特性来调整所述ESD保护器件的骤回电压，所述ESD保护器件耦合到所述核心电路。