[发明专利]反射沉积环和包括反射沉积环的基板处理室有效
申请号: | 201380044008.1 | 申请日: | 2013-08-27 |
公开(公告)号: | CN104584192B | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
发明(设计)人: | 阿纳塔·K·苏比玛尼;约瑟夫·M·拉内什;袁晓雄;阿希什·戈埃尔;李靖珠 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国,赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本文提供用于改良横越基板的温度均匀性的设备。在某些实施方式中,一种沉积环,用于使用在基板处理系统中来处理基板,该沉积环可包括环状主体,该环状主体具有第一表面、相对第二表面、和中央开口,该中央开口通过所述第一表面与第二表面,其中该第二表面是配置成设置于基板支座之上,该基板支座具有支撑表面以支撑具有给定宽度的基板,且其中该开口的尺寸经过设计,以暴露该支撑表面的主要部分;并且其中该第一表面包括至少一个反射部,该至少一个反射部是配置来将热能反射朝向该环状主体的中心轴,其中该至少一个反射部具有表面积是该第一表面的总表面积的大约百分之五至大约百分之五十。 | ||
搜索关键词: | 反射 沉积 包括 处理 | ||
【主权项】:
一种沉积环,用于使用在基板处理系统中,以处理基板,所述沉积环包括:环状主体,所述环状主体具有第一表面、相对第二表面、和中央开口,所述中央开口通过所述第一表面与第二表面,其中所述第二表面是配置成设置于基板支座之上,所述基板支座具有支撑表面以支撑具有给定宽度的基板,且其中所述开口的尺寸经过设计,以暴露所述支撑表面的主要部分;其中所述第一表面包括:至少一个反射部,所述至少一个反射部是配置来将热能反射朝向所述环状主体的中心轴,其中所述至少一个反射部具有表面积是所述第一表面的总表面积的至少大约百分之五;倾斜表面,所述倾斜表面设置于所述至少一个反射部的径向向内处;和平坦部,所述平坦部设置于所述沉积环的外部周边附近,所述平坦部具有设置于所述反射部的径向最外部之下的上表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造