[发明专利]用于使用延迟锁相回路的记忆体装置的节能设备及方法有效

专利信息
申请号: 201380040574.5 申请日: 2013-07-31
公开(公告)号: CN104508748B 公开(公告)日: 2018-06-01
发明(设计)人: Q·哈桑;C·兹特劳;S·罗斯内;S·迪布瓦 申请(专利权)人: 赛普拉斯半导体公司
主分类号: G11C8/00 分类号: G11C8/00;G11C5/14
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 宁晓;郑霞
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 实施例是指透过同步时脉信号在高频率用于记忆体数据传输时减少耗电量。延迟锁相回路(DLL)电路是用于产生该同步时脉信号。DLL电路只要正在输出该同步时脉信号即消耗电量。描述节能装置及方法,其中,当记忆体数据存取活跃时启动该DLL电路,而当记忆体存取闲置时该DLL电路被关闭。
搜索关键词: 时脉信号 电路 延迟锁相回路 记忆体 记忆体存取 记忆体装置 方法实施 节能设备 节能装置 数据传输 数据存取 消耗电量 高频率 耗电量 闲置 输出
【主权项】:
1.一种记忆体设备,其包括:延迟锁相回路DLL,具有DLL锁相时间;记忆体装置,具有初始数据存取延迟时间;以及记忆体控制器,具有控制器延迟时间,该记忆体控制器被配置以接收记忆体存取命令,且基于该记忆体存取命令、该控制器延迟时间、该初始数据存取延迟时间及该DLL锁相时间的接收,而提供DLL开启命令至该DLL,其中该控制器延迟时间及该初始数据存取延迟时间的总和超过该DLL锁相时间;动态计数器,耦合于该DLL,其中该动态计数器被配置以延迟该DLL开启命令的接收达一延迟,该延迟不超过该控制器延迟时间及该初始数据存取延迟时间的总和对于该DLL锁相时间的超过,且其中该动态计数器被配置以对该控制器延迟时间及该初始数据存取延迟时间中的一个或多个的即时改变作回应。
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