[发明专利]钝化层形成用组合物、带钝化层的半导体基板、带钝化层的半导体基板的制造方法、太阳能电池元件、太阳能电池元件的制造方法及太阳能电池有效
| 申请号： | 201380036945.2 | 申请日： | 2013-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN104488069B | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 田中彻;吉田诚人;仓田靖;织田明博;佐藤铁也;早坂刚 | 申请（专利权）人： | 日立化成株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/312;H01L31/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的钝化层形成用组合物包含通式(I)所示的有机铝化合物和通式(II)所示的有机化合物。通式(I)中，R1分别独立地表示碳数1～8的烷基。n表示0～3的整数。X2及X3分别独立地表示氧原子或亚甲基。R2、R3及R4分别独立地表示氢原子或碳数1～8的烷基。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化 形成 组合 半导体 制造 方法 太阳能电池 元件 | ||
【主权项】：
一种钝化层形成用组合物的用途，其为用于形成钝化层，所述钝化层形成用组合物包含下述通式(I)所示的有机铝化合物和下述通式(II)所示的有机化合物，通式(I)中，R1分别独立地表示碳数1～8的烷基，n表示0～3的整数，X2及X3分别独立地表示氧原子或亚甲基，R2、R3及R4分别独立地表示氢原子或碳数1～8的烷基。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
