[发明专利]用于改善薄膜光伏器件的效率的装置和方法在审
| 申请号： | 201380036017.6 | 申请日： | 2013-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN104798184A | 公开（公告）日： | 2015-07-22 |
| 发明（设计）人： | 阿克莱斯·吉普塔;马库斯·哥劳克勒;里克·C·鲍威尔;彭希林;王建军;赵志波;吉吉斯·特里维迪 | 申请（专利权）人： | 第一太阳能有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/36 | 分类号： | H01L21/36;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王占杰 |
| 地址： | 美国俄亥俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种包括具有卤化物热处理的表面的半导体层的光伏器件、用于生产其的方法和用于生产其的装置，所述卤化物热处理的表面提高至少在半导体层内的晶粒生长并改善半导体层之间的界面。卤化物热处理包括在与半导体层或部分半导体层相邻的表面上施加并加热卤化物化合物的多个涂层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改善 薄膜 器件 效率 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种用于生产光伏器件中的半导体薄膜层的方法，所述方法包括：在基底上形成薄膜半导体层；以及在与半导体层或部分半导体层相邻的至少一个薄膜层表面上施加第一卤化物热处理，其中，第一卤化物热处理包括：在与半导体层或部分半导体层相邻的至少一个表面上施加卤化物化合物的第一涂层；在施加卤化物化合物的第一涂层之后执行表面的第一加热；在同一表面上施加卤化物化合物的第二涂层；以及在施加卤化物化合物的第二涂层之后执行表面的至少第二加热。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
