[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法和电子设备有效
| 申请号： | 201380033466.5 | 申请日： | 2013-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN104412372B | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 胁山悟;冈本正喜;大冈丰;庄子礼二郎;财前义史;长畑和典;羽根田雅希 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522;H01L27/14;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体装置，其包括第一半导体基体；第二半导体基体，结合在第一半导体基体的第一表面侧上；贯通电极，形成为从第一半导体基体的第二表面侧贯通至第二半导体基体上的配线层；以及，绝缘层，围绕第一半导体基体内形成的贯通电极的周界。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，该半导体装置包括贯通第一半导体基体的贯通电极，该方法包括：形成绝缘层的步骤，该绝缘层仅位于第一半导体基体的第一表面上、围绕形成有贯通电极的位置的周界；将第二半导体基体结合至该第一半导体基体的第一表面侧的步骤；形成开口部分的步骤，该开口部分在由该绝缘层围绕的范围内、从该第一半导体基体的第二表面侧贯通至该第二半导体基体上的配线层；以及在该开口部分内形成贯通电极的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
