[发明专利]电流孔径二极管及其制作方法有效
申请号: | 201380028038.3 | 申请日: | 2013-06-19 |
公开(公告)号: | CN104321880B | 公开(公告)日: | 2018-04-10 |
发明(设计)人: | 储荣明 | 申请(专利权)人: | HRL实验室有限责任公司 |
主分类号: | H01L29/872 | 分类号: | H01L29/872 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 陈源,崔利梅 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种二极管及其制造方法,所述二极管具有阴极、阳极和配置在阴极与阳极之间的一个或多个半导体层。在所述一个或多个半导体层中的至少一个半导体层和阴极或阳极中的至少一个之间配置了电介质层,该电介质层具有一个或多个形成于其中的开口或沟槽,所述阴极或阳极中的至少一个穿过所述开口或沟槽突出进入所述一个或多个半导体层中的所述至少一个半导体层中,其中,在所述一个或多个半导体层中的所述至少一个半导体层处的电介质层中形成的一个或多个开口或沟槽的总表面积与在所述一个或多个半导体层中的所述至少一个半导体层处的电介质层的总表面积的比值不大于0.25。 | ||
搜索关键词: | 电流 孔径 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种二极管,包括:阴极;阳极;配置在所述阴极与所述阳极之间的多个半导体层,所述多个半导体层形成了所述多个半导体层中的两个半导体层之间的异质结面,其中所述两个半导体层由不同材料形成,所述两个半导体层的一种材料的带隙比所述两个半导体层的另一种材料的带隙更高,由较高带隙的材料形成的所述半导体层被配置为比由所述另一种材料形成的所述半导体层离所述阳极的主要部分更近并且远离所述阴极;以及电介质层,其配置在具有所述较高带隙的材料的所述半导体层与所述阳极的主要部分之间,所述电介质层具有形成于其中的一个或多个开口或沟槽,所述阳极穿过所述开口或沟槽突出进入至少具有所述较高带隙的材料的所述半导体层中。
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