[发明专利]粘晶装置以及利用粘晶装置的半导体晶粒的破损检测方法有效

专利信息
申请号: 201380023188.5 申请日: 2013-08-19
公开(公告)号: CN104937702B 公开(公告)日: 2017-09-29
发明(设计)人: 豊川雄也 申请(专利权)人: 株式会社新川
主分类号: H01L21/52 分类号: H01L21/52;H01L21/60
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 代理人: 张洋
地址: 日本东京武藏村*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明一种粘晶装置及其半导体晶粒的破损检测方法。粘晶机包括背面照相机,对包括吸附半导体晶粒的夹头的吸附面图像及吸附于夹头的半导体晶粒的图像的整体图像进行摄像,以及图像处理部,处理由背面照相机获取的各图像,图像处理部包括图像区域划定元件,基于夹头的吸附面图像与半导体晶粒的图像的明度差及半导体晶粒的基准图像划定整体图像中半导体晶粒的图像区域;以及破损检测元件,对由图像区域划定元件划定的半导体晶粒的图像区域内扫描,在扫描方向上的明度的变化比例为规定的临限值以上时,判断为半导体晶粒的破损。藉此,有效抑制破损的半导体晶粒被粘晶,提高由粘晶机制造的半导体装置的品质。
搜索关键词: 装置 以及 利用 半导体 晶粒 破损 检测 方法
【主权项】:
一种利用粘晶装置的半导体晶粒的破损检测方法,包括:图像获取步骤,对整体图像进行摄像,所述整体图像包括吸附所述半导体晶粒的夹头的吸附面图像及吸附于所述夹头的所述半导体晶粒的图像;图像区域划定步骤,基于所述夹头的吸附面图像与所述半导体晶粒的图像的明度差、及所述半导体晶粒的基准图像,来划定所述整体图像中的所述半导体晶粒的图像区域;以及半导体晶粒的破损检测步骤,对藉由所述图像区域划定步骤而划定的所述图像区域内进行扫描,在扫描方向上的明度的变化比例为规定的临限值以上的情况下,判断为所述半导体晶粒的破损,所述破损检测步骤将藉由所述图像区域划定步骤而划定的所述半导体晶粒的所述图像区域的除周围外的内侧部分设定为检查区域,并对所述检查区域内进行扫描。
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