[发明专利]半导体发光元件用光提取体及发光元件

摘要

半导体发光元件用光提取体(1)包括：凹凸构造层(11)，其在表面设置有凹凸构造(11a)，且具有第一折射率(n1)；及第一光提取层(12a)，其设置于凹凸构造(11a)的凸部上；对于第一光提取层(12a)，凸部顶部平均位置Sh与第一光提取层(12a)的凸部上界面平均位置Scv之间的距离Lcv满足式(1)10nm≦Lcv≦5000nm，凹凸构造(11a)在平均高度H满足式(2)10nm≦H≦5000nm，并且平均间距P满足式(3)50nm≦P≦5000nm，且距离Lcv、及凸部平均高度H满足式(4)50nm≦Lcv+H≦6000nm。本发明可改善来自使用有光提取体(1)的半导体发光元件的光取出效率，而且可提高半导体发光元件的长期可靠性。

主权项

一种半导体发光元件用光提取体，其特征在于，包括：凹凸构造层，其在表面设置有凹凸构造，且具有第一折射率(n1)；及光提取层，其设置于所述凹凸构造上，且具有第二折射率(n2)，所述第一折射率(n1)与所述第二折射率(n2)实质上不同，所述光提取层包括设置于所述凹凸构造的凸部上的第一光提取层，对于所述第一光提取层，凸部顶部平均位置Sh与所述第一光提取层的凸部上界面平均位置Scv之间的距离Lcv满足下述式(1)，所述凹凸构造的凸部平均高度H满足下述式(2)，并且平均间距P满足下述式(3)，且所述距离Lcv及所述凸部平均高度H满足下述式(4)，式(1)10nm≦Lcv≦5000nm式(2)10nm≦H≦5000nm式(3)50nm≦P≦5000nm式(4)50nm≦Lcv+H≦6000nm。