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[实用新型]卷筒用输送箱-CN201520568867.7有效
发明人：永田和祈;小塚聪朗 -专利权人： 旭化成电子材料株式会社
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： B65D85/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种能够保护分割卷筒这样的卷筒不受损伤和污染，并且能够高效地收纳、输送更多的卷筒的卷筒用输送箱。该卷筒用输送箱用于收纳并输送多个卷筒，其中，该卷筒用输送箱包括：底座部；一对主柱部，其大致垂直于底座部的上表面，且该一对主柱部彼此之间空开间隔地设置于底座部的上表面侧；板状部，其架设在一对主柱部之间；以及多个分支柱部，其自板状部以相对于该板状部的表面大致垂直的方式突出地设置，该多个分支柱部通过贯穿卷筒的芯体内部，从而保持该卷筒。
卷筒输送

[发明专利]自支撑膜、自支撑结构体、自支撑膜的制造方法及表膜-CN201180018926.8有效
发明人：土井诚太郎;岩村贤一郎;生田目卓治 -专利权人： 旭化成电子材料株式会社
申请日： 2011-04-13 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： G02B1/118 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种自支撑膜，该自支撑膜由于单独具有防反射功能而具有优异的光学特性。该自支撑膜为具有在表面上形成了周期性凹凸形状的凹凸结构层的自支撑膜，其特征在于，其具有在至少一个面上形成了周期性凹凸形状的凹凸结构层，平均厚度为0.2μm以上且20.0μm以下，并且所述凹凸结构层的屈服应变为1%以上，且拉伸伸长率为10%以上。
支撑结构制造方法

[发明专利]感光性树脂层叠体卷-CN201380068564.2有效
发明人：小谷雄三 -专利权人： 旭化成电子材料株式会社
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： B65D59/00 文献下载
摘要：本发明提供在启封时可以从感光性树脂层叠体卷端面简单地将异物去除的感光性树脂层叠体卷。该感光性树脂层叠体卷的结构是，将感光性树脂层叠体在卷芯上卷绕成卷状，以使卷端面保护部件与所卷绕的感光性树脂层叠体的端面接触的方式配置，对于卷端面保护部件，在与卷端面接触侧具有粘合剂组合物，感光性树脂层叠体至少包含支撑层与层叠于该支撑层的感光性树脂层。
感光性树脂层叠

[发明专利]转印方法及热纳米压印装置-CN201510155419.9有效
发明人：细见尚希;古池润;山口布士人 -专利权人： 旭化成电子材料株式会社
申请日： 2013-04-30 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：使用微细图案形成用膜(II)，在被处理体(20)上转印赋予以下第1掩模层(13)及第2掩模层(12)，所述微细图案形成用膜(II)具有在一侧的表面上形成有纳米尺度的凹凸结构(11)的覆盖膜(10)、设置于所述凹凸结构(11)的凹部内部的第2掩模层(12)、覆盖所述凹凸结构(11)及所述第2掩模层(12)而设置的第1掩模层(13)；此处，使设置有第1掩模层(13)的表面朝向所述被处理体(20)的表面，按压微细图案形成用膜(II)，对第1掩模层(13)照射能量射线，接着，将覆盖膜(10)从第2掩模层(12)及第1掩模层(13)上分离。此处，按压和能量射线照射分别独立进行。使用第2掩模层(12)及第1掩模层(13)，蚀刻被处理体(20)。
方法纳米压印装置

[发明专利]多层多孔膜和其制造方法、以及非水电解液电池用分隔件-CN201380057208.0有效
发明人：片桐健;熊添主隼 -专利权人： 旭化成电子材料株式会社
申请日： 2013-10-28 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： B32B27/32 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供热收缩率低的多层多孔膜和其制造方法、以及具备前述多层多孔膜的非水电解液电池用分隔件。一种多层多孔膜，其具有：聚烯烃多孔膜；和配置于该聚烯烃多孔膜的单面或双面的、含有无机填料、树脂粘结剂和离子解离性无机分散剂的多孔层。
多层多孔制造方法以及水电电池分隔

[发明专利]氧化还原液流二次电池用隔膜及使用其的氧化还原液流二次电池-CN201380059066.1有效
发明人：宫泽博;高桥智明;武田久 -专利权人： 旭化成电子材料株式会社
申请日： 2013-11-12 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01M8/18 文献下载
摘要：提供氧化还原液流二次电池，其具备电解槽，所述电解槽包含正极室、负极室以及将该正极室与该负极室隔离分离的隔膜。并且，上述氧化还原液流二次电池具有以下这样的结构。即，前述隔膜具有微多孔膜、与该微多孔膜接触的离子交换树脂层，并且该隔膜的每200μm厚的不透气度为10000秒/100cc以上。另外，前述微多孔膜包含聚烯烃树脂或者偏二氟乙烯系树脂和无机填料。另外，在前述微多孔膜中，至少与前述离子交换树脂层接触的面的平滑度为16000秒以下。
氧化原液二次电池隔膜使用

[发明专利]光学基板、半导体发光元件及其制造方法-CN201380053159.3无效
发明人：古池润;山口布士人;井上直树;室尾洋行 -专利权人： 旭化成电子材料株式会社
申请日： 2013-09-25 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：光学基板PP(10)具备基板本体、设置于所述基板本体的主面之上的由多个凸部(20a)构成的凹凸结构(20)，在主面之上描绘有能够通过光学显微镜观察到的图样(X)，图样(X)的间隔大于凹凸结构(20)的间距，图样(X)的光学显微镜像中，图样(X)能够根据明暗差识别为第1区域(Xa)及第2区域(Xb)，第1区域(Xa)为多个并且相互隔有间隔地配置，第2区域(Xb)连接在第1区域(Xa)之间。可以同时解决一直以来互为取舍关系的半导体发光元件的内部量子效率IQE的提高和光提取效率LEE的改善。
光学半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]柔性器件用基板、柔性器件及其制造方法、层积体及其制造方法、以及树脂组合物-CN201380057552.X有效
发明人：斋藤大和;和泉昭宏;高田省三;土井一郎 -专利权人： 旭化成电子材料株式会社
申请日： 2013-11-07 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明能够提供在柔性器件的制造过程中在树脂层和无机基板间具有充分的密合性、并且在最终阶段能够仅将无机基板从树脂层容易地剥离的树脂组合物、层积体和层积体的制造方法以及柔性器件的制造方法。此外还能够提供膜厚的波动小、在构成器件时不易发生器件的工作不良的柔性器件用基板以及使用了该柔性器件用基板的柔性器件。
柔性器件用基板及其制造方法层积以及树脂组合

[发明专利]功能转印体、功能层的转印方法、封装物以及功能转印膜辊-CN201510118186.5有效
发明人：古池润;山口布士人 -专利权人： 旭化成电子材料株式会社
申请日： 2013-06-10 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：功能转印体(14)具备具有纳米结构的凹凸结构(11)的载体(10)和设置于凹凸结构(11)上的功能层(12)。在凹凸结构(11)的表面预先设置功能层(12)，使功能层(12)直接对接于被处理体(20)的一主面上，然后从功能层(12)除去载体(10)，在被处理体(20)上转印功能层(12)。凹凸结构(11)的平均间距在1nm以上1500nm以下，功能层(12)包含树脂，且功能层(12)的露出面侧的表面粗糙度(Ra)，与凹凸结构(11)的凸部顶端位置和所述功能层的露出表面的距离(lor)的比例(Ra/lor)在1.2以下。进一步地，功能层(12)配置于凹部(11a)的内部，其露出面在温度20℃且遮光下是非液体状态。可以在被处理体(20)上高精度地赋予功能。
功能转印体方法封装以及转印膜辊

[发明专利]氧化还原液流二次电池用电解质膜-CN201310351324.5有效
发明人：浅见阳子;井上祐一;三宅直人 -专利权人： 旭化成电子材料株式会社
申请日： 2013-08-13 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： H01M8/02 文献下载
摘要：本发明涉及氧化还原液流二次电池用电解质膜，其目的在于提供下述的氧化还原液流二次电池用电解质膜，该电解质膜具有优异的离子选择透过性，能够抑制活性物质的离子透过性而不会使质子(H⁺)透过性变差；并且电阻低、电流效率也优异，进而还具有耐氧化劣化性(羟基自由基耐性)。本发明的氧化还原液流二次电池用电解质膜含有具有特定结构的氟系高分子电解质聚合物、并且含有特定量的碱性聚合物。
氧化原液二次电池用电质膜

[发明专利]转印方法及热纳米压印装置-CN201380024210.8有效
发明人：细见尚希;古池润;山口布士人 -专利权人： 旭化成电子材料株式会社
申请日： 2013-04-30 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： B29C59/04 文献下载
摘要：使用微细图案形成用膜(II)，在被处理体(20)上转印赋予以下第1掩模层(13)及第2掩模层(12)，所述微细图案形成用膜(II)具有在一侧的表面上形成有纳米尺度的凹凸结构(儿)的覆盖膜(10)、设置于所述凹凸结构(11)的凹部内部的第2掩模层(12)、覆盖所述凹凸结构(11)及所述第2掩模层(12)而设置的第1掩模层(13)；此处，使设置有第1掩模层(13)的表面朝向所述被处理体(20)的表面，按压微细图案形成用膜(II)，对第1掩模层(13)照射能量射线，接着，将覆盖膜(10)从第2掩模层(12)及第1掩模层(13)上分离。此处，按压和能量射线照射分别独立进行。使用第2掩模层(12)及第1掩模层(13)，蚀刻被处理体(20)。
方法纳米压印装置

[发明专利]具有自由基交联性基团的聚硅氧烷组合物-CN201380020944.9有效
发明人：佐佐木由香;胜又彻 -专利权人： 旭化成电子材料株式会社
申请日： 2013-04-19 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：提供具有自由基交联性基团的聚硅氧烷组合物，所述组合物在大气下、24℃、常压、以及将波长400nm以下的光遮蔽的条件下静置24小时之后，使用电子自旋共振(ESR)装置测定时，具有g值2.034～1.984的峰，并且包含相对于组合物中的1g固体成分为0.1×10^-6～120×10^-6摩尔的自由基。
具有自由基交联基团聚硅氧烷组合

[发明专利]微细图案形成用积层体及微细图案形成用积层体的制造方法-CN201410446851.9有效
发明人：古池润;山口布士人;前田雅俊;有久慎司 -专利权人： 旭化成电子材料株式会社
申请日： 2012-06-18 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： B29C33/38 文献下载
摘要：本发明的目的在于为了在被处理体上形成高纵横比的微细图案，提供可容易地形成残留膜薄或无残留膜的微细图案的微细图案形成用积层体及微细图案形成用积层体的制造方法。本发明的微细图案形成用积层体(1)是用于在被处理体(200)上介由第1掩模层(103)形成微细图案(220)的微细图案形成用积层体(1)，其特征在于，具备在表面上具有凹凸结构(101a)的模具(101)和在凹凸结构(101a)上设置的第2掩模层(102)，第2掩模层(102)的距离(lcc)及凹凸结构(101a)的高度(h)满足下述式(1)，且距离(lcv)和高度(h)满足下述式(2)。式(1)0<lcc<1.0h；式(2)0≤lcv≤0.05h。
微细图案形成用积层体制造方法

[发明专利]半导体发光元件用光提取体及发光元件-CN201380019616.7无效
发明人：山口布士人;古池润;高际绫 -专利权人： 旭化成电子材料株式会社
申请日： 2013-04-11 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：半导体发光元件用光提取体(1)包括：凹凸构造层(11)，其在表面设置有凹凸构造(11a)，且具有第一折射率(n1)；及第一光提取层(12a)，其设置于凹凸构造(11a)的凸部上；对于第一光提取层(12a)，凸部顶部平均位置Sh与第一光提取层(12a)的凸部上界面平均位置Scv之间的距离Lcv满足式(1)10nm≦Lcv≦5000nm，凹凸构造(11a)在平均高度H满足式(2)10nm≦H≦5000nm，并且平均间距P满足式(3)50nm≦P≦5000nm，且距离Lcv、及凸部平均高度H满足式(4)50nm≦Lcv+H≦6000nm。本发明可改善来自使用有光提取体(1)的半导体发光元件的光取出效率，而且可提高半导体发光元件的长期可靠性。
半导体发光元件用光提取

[发明专利]微细凹凸结构转印用无机组合物-CN201410318108.5有效
发明人：古池润 -专利权人： 旭化成电子材料株式会社
申请日： 2012-06-18 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： G03F7/075 文献下载
摘要：本发明提供一种可经由良好的转印工序，制作由可调节折射率的无机物构成的微细凹凸结构的微细凹凸结构转印用无机组合物。本发明的组合物含有硅酮化合物和至少2种金属醇盐，金属醇盐是具有金属品种M1(其中，M1是从由Ti、Zr、Zn、Sn、B、In及Al构成的群组中选出的至少1种金属元素)的金属醇盐和具有金属品种Si的金属醇盐。此外，在组合物中，具有金属品种M1的金属醇盐的摩尔浓度CM1与具有金属品种Si的金属醇盐的摩尔浓度CSi之间的比满足下述式(1)。0.2≦CM1/CSi≦24 (1)
微细凹凸结构转印用无机组合

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