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[发明专利]表面处理碳纳米管及树脂组合物-CN201380012779.2有效
发明人： 高际绫;佐久间照章;鹿野泰和;野田和弥 -专利权人：旭化成株式会社
申请日： 2013-03-05 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： C01B32/168 文献下载
摘要：本发明提供表面破坏少并且与树脂混合时树脂的分子量不降低、挤出性也优良的经表面处理的碳纳米管。一种经表面处理的碳纳米管，所述经表面处理的碳纳米管的氮气气氛下600℃的加热减量为0.2～40％，通过X射线光电子能谱分析法(XPS)测定的表面氧浓度为1.5～40原子％，表面硫浓度小于0.1原子％。
表面处理纳米树脂组合

[发明专利]半导体发光元件用光提取体及发光元件-CN201380019616.7无效
发明人：山口布士人;古池润;高际绫 -专利权人：旭化成电子材料株式会社
申请日： 2013-04-11 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：半导体发光元件用光提取体(1)包括：凹凸构造层(11)，其在表面设置有凹凸构造(11a)，且具有第一折射率(n1)；及第一光提取层(12a)，其设置于凹凸构造(11a)的凸部上；对于第一光提取层(12a)，凸部顶部平均位置Sh与第一光提取层(12a)的凸部上界面平均位置Scv之间的距离Lcv满足式(1)10nm≦Lcv≦5000nm，凹凸构造(11a)在平均高度H满足式(2)10nm≦H≦5000nm，并且平均间距P满足式(3)50nm≦P≦5000nm，且距离Lcv、及凸部平均高度H满足式(4)50nm≦Lcv+H≦6000nm。本发明可改善来自使用有光提取体(1)的半导体发光元件的光取出效率，而且可提高半导体发光元件的长期可靠性。
半导体发光元件用光提取