[发明专利]硫化物半导体形成用涂布液、硫化物半导体薄膜和薄膜太阳能电池有效
| 申请号： | 201380016074.8 | 申请日： | 2013-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN104205311A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 伊藤和志;早川明伸;小原峻士;孙仁德 | 申请（专利权）人： | 积水化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/368 | 分类号： | H01L21/368;C01G29/00;C01G30/00;H01L31/0248;H01L51/42 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种硫化物半导体形成用涂布液，其能够大面积且简易地形成作为光电转换材料的半导体材料而言有用的硫化物半导体。另外，本发明的目的在于提供一种使用该硫化物半导体形成用涂布液所制造的硫化物半导体薄膜和薄膜太阳能电池。本发明为一种硫化物半导体形成用涂布液，其含有下述络合物，所述络合物包含元素周期表第15族的金属元素和硫。 | ||
| 搜索关键词： | 硫化物 半导体 形成 用涂布液 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种硫化物半导体形成用涂布液，其特征在于，含有络合物，所述络合物包含元素周期表第15族的金属元素和硫。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
