[发明专利]具有浅层向外扩散P+发射极区的锗化硅异质结双极晶体管有效
| 申请号： | 201380015922.3 | 申请日： | 2013-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN104205336B | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | J·A·巴布科克;A·萨多夫尼科夫 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | pnp型硅锗异质结双极晶体管(HBT)(300)通过外延生长发射极以包括单晶锗区(316)和上覆的单晶硅区(318)，降低晶体管的p+发射极(310)中的p‑型掺杂物原子向外扩散到晶体管的基极(150)的低掺杂区中的速率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 向外 扩散 发射极 锗化硅异质结 双极晶体管 | ||
【主权项】：
一种双极结构，其包括：具有第一导电类型的衬底结构；接触所述衬底结构的第一外延结构，所述第一外延结构包括单晶硅；接触所述第一外延结构的第二外延结构，所述第二外延结构包括第一单晶锗区，所述第一单晶锗区具有第二导电类型，所述第二外延结构进一步包括接触所述第一单晶锗区并位于所述第一单晶锗区上方的第二单晶硅区；接触所述第二外延结构的非导电结构，所述非导电结构具有暴露所述第二外延结构的发射极开口；以及接触所述非导电结构并延伸通过所述发射极开口以接触所述第二外延结构的第三外延结构，所述第三外延结构包括第二单晶锗区，所述第二单晶锗区具有所述第一导电类型，所述第三外延结构进一步包括接触所述第二单晶锗区并位于所述第二单晶锗区上方的第一单晶硅区。
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