[发明专利]氮化物半导体发光元件和具备该氮化物半导体发光元件的光源无效
| 申请号： | 201380000898.6 | 申请日： | 2013-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN103430334A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 加藤亮;高桥邦方;藤金正树;横川俊哉 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L21/205;H01L33/32;H01L33/50 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 雒运朴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本申请所公开的氮化物半导体发光元件，具备如下：n侧电极；p侧电极；与n侧电极电连接的n型氮化物半导体层；具有非极性面或半极性面的主面的p型氮化物半导体层；和位于n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层之间的活性层。p型氮化物半导体层包含具有30纳米以上、50纳米以下的高度的突起，突起由不仅含有镁、而且也含有硅的p型氮化物半导体形成，p型氮化物半导体具有1.0×1017cm-3以上、6.0×1017cm-3以下的硅浓度，突起从活性层朝向p侧电极突出，氮化物半导体发光元件在俯视下，p侧电极与突起重叠，突起含有位错，且在突起的周围形成有由p型氮化物半导体形成的平坦面，并且突起具有比平坦面高的位错密度。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 具备 光源 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体发光元件，其中，具备：n侧电极；p侧电极；n型氮化物半导体层，其与所述n侧电极电连接；p型氮化物半导体层，其具有非极性面或半极性面的主面；和活性层，其位于所述n型氮化物半导体层和所述p型氮化物半导体层之间，并且，所述p型氮化物半导体层，包含具有30纳米以上、50纳米以下的高度的突起，所述突起，由不仅含有镁、而且也含有硅的p型氮化物半导体形成，所述p型氮化物半导体具有1.0×1017cm‑3以上、6.0×1017cm‑3以下的硅浓度，所述突起从所述活性层朝向所述p侧电极突出，所述氮化物半导体发光元件在俯视下，所述p侧电极与所述突起重叠，所述突起含有位错，在所述突起的周围，形成有由所述p型氮化物半导体形成的平坦面，所述突起具有比所述平坦面高的位错密度。
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