[实用新型]测试结构

摘要

本实用新型提出了一种测试结构，用于监测半导体芯片的性能稳定性，包括多个测试单元，所述测试单元包括PMOS、与平行PMOS并保持一定间距的NMOS、形成于PMOS和NMOS之上的公共栅极、位于NMOS之下的N型衬底以及位于NMOS、PMOS以及N型衬底之上的多个通孔连线，所述NMOS包括一预掺杂区，所述预掺杂区具有预定宽度。测试单元中包括NMOS、PMOS以及公共栅极，在测试单元形成之后通过对测试结构进行性能检测便能够检测出所述NMOS的预掺杂宽度是否会对测试结构造成一定影响，从而监测出所述NMOS的预掺杂宽度对半导体芯片稳定性是否有影响。

主权项

一种测试结构，用于监测半导体芯片的性能稳定性，其特征在于，所述测试结构包括多个测试单元，所述测试单元包括PMOS、NMOS、公共栅极、N型衬底以及多个通孔连线，其中，所述PMOS和NMOS平行并保持一定间距，所述公共栅极形成于所述PMOS和NMOS之上，所述NMOS位于所述N型衬底之上，所述通孔连线分别位于所述NMOS、PMOS以及N型衬底之上，所述NMOS包括一预掺杂区，所述预掺杂区具有预定宽度。