[实用新型]一种LED芯片

摘要

本实用新型公开了一种LED芯片。其中该LED芯片包括：衬底；第一掺杂类型半导体层，第一掺杂类型半导体层位于衬底上；第一电极，第一电极与第一掺杂类型半导体层接触；多量子阱，多量子阱位于第一掺杂类型半导体层上；第二掺杂类型半导体层，第二掺杂类型半导体层位于多量子阱上；电流扩散层，电流扩散层位于第二掺杂类型半导体层上；第二电极，第二电极位于电流扩散层的第一区域上；出光过渡层，出光过渡层位于电流扩散层的第二区域上；以及钝化层，钝化层位于出光过渡层上，其中，电流扩散层、出光过渡层和钝化层的折射率匹配。本实用新型的LED芯片具有出光角度大等优点。

主权项

一种LED芯片，其特征在于，包括：衬底，所述衬底的表面具有图形化结构；第一掺杂类型半导体层，所述第一掺杂类型半导体层位于所述衬底上；第一电极，所述第一电极与所述第一掺杂类型半导体层接触；多量子阱，所述多量子阱位于所述第一掺杂类型半导体层上；第二掺杂类型半导体层，所述第二掺杂类型半导体层位于所述多量子阱上；电流扩散层，所述电流扩散层位于所述第二掺杂类型半导体层上；第二电极，所述第二电极位于所述电流扩散层的第一区域上；出光过渡层，所述出光过渡层位于所述电流扩散层的第二区域上；以及钝化层，所述钝化层位于所述出光过渡层上，其中，所述电流扩散层、出光过渡层和钝化层的折射率匹配。