[实用新型]一种LED芯片有效
| 申请号： | 201320736159.0 | 申请日： | 2013-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN203617331U | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 张杰;彭遥 | 申请（专利权）人： | 惠州比亚迪实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/44 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 516083*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 | ||
1.一种LED芯片，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底的表面具有图形化结构；
第一掺杂类型半导体层，所述第一掺杂类型半导体层位于所述衬底上；
第一电极，所述第一电极与所述第一掺杂类型半导体层接触；
多量子阱，所述多量子阱位于所述第一掺杂类型半导体层上；
第二掺杂类型半导体层，所述第二掺杂类型半导体层位于所述多量子阱上；
电流扩散层，所述电流扩散层位于所述第二掺杂类型半导体层上；
第二电极，所述第二电极位于所述电流扩散层的第一区域上；
出光过渡层，所述出光过渡层位于所述电流扩散层的第二区域上；以及
钝化层，所述钝化层位于所述出光过渡层上，
其中，所述电流扩散层、出光过渡层和钝化层的折射率匹配。
2.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片为垂直结构。
3.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述出光过渡层的折射率等于所述电流扩散层的折射率和所述钝化层的折射率的几何平均值。
4.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述出光过渡层的透光率大于90%。
5.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述出光过渡层为氧化镁薄膜、二氧化钛纳米/有机复合薄膜或者掺锡的氧化钇薄膜。
6.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述出光过渡层为绝缘薄膜。
7.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，还包括：位于所述衬底底部的背镀层。
8.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，还包括：位于多量子阱和第二掺杂类型半导体层之间的电子阻挡层。
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