[实用新型]LED芯片及具有该结构的阵列式LED芯片有效
| 申请号： | 201320659503.0 | 申请日： | 2013-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN203659931U | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 田艳红;汪延明;付宏威 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/02;H01L33/36 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明 |
| 地址： | 423038 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种LED芯片及具有该结构的阵列式LED芯片。LED芯片包括：衬底、形成于衬底的顶面上的N型GaN层、形成于N型GaN层的顶面上的多量子阱层、形成于多量子阱层的顶面上的P型GaN层；N型GaN层包括第一凹槽和第二凹槽；第一凹槽包括N型电极；第二凹槽包括绝缘隔离层、透明导电层、P型电极；绝缘隔离层延伸至P型GaN层的顶面上；透明导电层延伸至绝缘隔离层外缘与P型GaN层顶面外缘之间。阵列式LED芯片，包括衬底和形成于衬底的顶面上的多个单元，多个单元结构相同，单元结构为上述LED芯片结构。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 具有 结构 阵列 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，包括：衬底(1)、形成于所述衬底(1)的顶面上的N型GaN层(2)、形成于所述N型GaN层(2)的顶面上的多量子阱层(3)、形成于所述多量子阱层(3)的顶面上的P型GaN层(4)；其特征在于，所述N型GaN层(2)包括形成于所述N型GaN层(2)顶面上位置相间的第一凹槽(21)和第二凹槽(22)；所述第一凹槽(21)包括N型电极(8)，所述N型电极(8)形成于所述第一凹槽(21)的顶面上；所述第二凹槽(22)包括绝缘隔离层(5)、透明导电层(6)、P型电极(7)，所述绝缘隔离层(5)形成于所述第二凹槽(22)的槽底顶面上，所述透明导电层(6)形成于所述绝缘隔离层(5)上，所述P型电极(7)形成于所述透明导电层(6)的顶面上；所述绝缘隔离层(5)延伸至所述P型GaN层(4)的顶面上；所述透明导电层(6)延伸至所述绝缘隔离层(5)外缘与所述P型GaN层(4)顶面外缘之间。
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