[实用新型]LED芯片及具有该结构的阵列式LED芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及发光二极管芯片领域，特别地，涉及一种LED芯片，本实用新型的另一方面还提供了一种具有该LED芯片结构的阵列式LED芯片。 

背景技术

传统功率型LED（lightemittingdiode，发光二极管芯片）灯珠由多颗功率型芯片以串、并联形式封装于支架中形成。串并联时芯片上的P、N电极线走线随意，所得灯珠的可靠性难以保证。另一方面，在现有的阵列式芯片中，P型电极线通常设置于P型GaN层的上表面，遮挡了从P型GaN层出射的光，降低了芯片的发光效率。 

实用新型内容

本实用新型目的在于提供一种LED芯片及具有其结构的阵列式LED芯片，以解决现有技术中LED芯片发光效率低，LED芯片组装灯珠时，可靠性低的技术问题。 

为实现上述目的，根据本实用新型的一个方面，提供了一种LED芯片，包括：衬底、形成于衬底的顶面上的N型GaN层、形成于N型GaN层的顶面上的多量子阱层、形成于多量子阱层的顶面上的P型GaN层；N型GaN层包括形成于N型GaN层顶面上位置相间的第一凹槽和第二凹槽；第一凹槽包括N型电极，N型电极形成于第一凹槽的顶面上；第二凹槽包括绝缘隔离层、透明导电层、P型电极，绝缘隔离层形成于第二凹槽的槽底顶面上，透明导电层形成于绝缘隔离层上，P型电极形成于透明导电层的顶面上；绝缘隔离层延伸至P型GaN层的顶面上；透明导电层延伸至绝缘隔离层外缘与P型GaN层顶面外缘之间。 

进一步地，还包括与相应电极导通的N、P型电极线，N型电极线布置于第一凹槽内，P型电极线布置于第二凹槽内。 

进一步地，P型电极包括P型电极线，P型电极线布置于第二凹槽内；N型电极包括N型电极线；N型电极线布置于第一凹槽内。 

进一步地，N型电极还包括N型焊盘，N型焊盘设置于第一凹槽的一端，并与N型电极线相连；P型电极还包括P型焊盘，P型焊盘设置于第二凹槽的一端，并与P型电极线相连。 

进一步地，还包括钝化层，钝化层包覆LED芯片的上表面，并露出N型焊盘和P型焊盘。 

进一步地，绝缘隔离层透光波长为440～720nm。 

根据本实用新型的另一方面还提供了一种阵列式LED芯片，包括衬底和形成于衬底的顶面上的多个单元，多个单元结构相同，单元结构为上述LED芯片结构。 

进一步地，多个单元排布为方形、圆形、三角形或五角星形中的任一种。 

本实用新型具有以下有益效果： 

本实用新型提供的LED芯片用于组装大功率阵列式GaN基LED组合芯片时，N、P型电极线处于沟槽内，在制作时布线连接规整，减少电极线搭接造成的漏洞现象。提高该芯片的可靠率，经测试采用该结构的大功率阵列式GaN基LED芯片，该芯片片内生产综合良率达到91.6%。 

本实用新型提供的LED芯片中由于P型电极线处于第二凹槽内，该第二凹槽处于N型GaN层上。能避免P型电极线阻挡从P型GaN层出射的光。从而提高了芯片的发光效率和强度。经测试该结构的大功率阵列式GaN基LED芯片，比同面积常规结构的大功率阵列式LED芯片发光强度高16%。 

除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本实用新型还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本实用新型作进一步详细的说明。 

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中： 

图1是本实用新型优选实施例的主视示意图； 

图2是本实用新型优选实施例的俯视示意图。 

图例说明： 

1、衬底；2、N型GaN层；3、量子阱层；4、P型GaN层；5、绝缘隔离层；6、透明导电层；7、P型电极；8、N型电极；9、钝化层；21、第一凹槽；22、第二凹槽；23、第一堆叠壁；24、第二堆叠壁；25、底面；1’、单元；71、P型焊盘；81、N型焊盘；72、P型电极线；82、N型电极线。 

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的实施例进行详细说明，但是本实用新型可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。 

本实用新型提供的结构采用本领域常规工艺即可实现，本文中所提到的方法均为本领域常规方法。本文中常规结构指：LED芯片的P型电极制作于P型GaN层顶面上。本文中具有该常规结构的LED芯片的其他结构与本实用新型提供的LED芯片相同。